低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法，具体实施步骤包括在衬底上依次外延生长缓冲层、沟道层、插入层、势垒层；选择生长掩模层的制备；外沟道选择生长掩模层的刻蚀；外沟道层的选择外延生长；选择生长掩模的去除；选择生长掩模层的制备；栅选择生长区域掩模层的刻蚀；栅势垒层的选择生长；去除选择生长掩模层及其上的外沟道层；源漏金属的制备及合金；栅金属的制备。本发明具有导通电阻低；高阈值电压及均匀性；内外沟道材料结构自由度高；无损伤缺陷导致的器件动态特性退化的问题等优点。