机译:通过标准氟离子注入和Si_3N_4能量吸收层制造的增强模式AlGaN / GaN HEMT
机译:导通状态栅极过驱动应力下氟离子注入增强型AlGaN / GaN HEMT的降解机理
机译:使用PEALD AlN界面钝化层的具有低阈值电压滞后的栅极凹陷准常关Al 2 sub> O 3 sub> / AlGaN / GaN MIS-HEMT
机译:使用低能氟离子注入GaN层的大栅极摆幅和高阈值电压增强模式AlGaN / GaN HEMT
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:通过标准氟离子注入与Si(3)N(4)能量吸收层制造的增强模式AlGaN / GaN HEMT