增强型AlGaN/GaN HEMT势垒层优化设计

摘要

为研究AlxGa1-xN势垒层的厚度和Al组分变化对增强型HEMT器件电学特性的影响,文中使用ATLAS软件,利用二元有限元方法,设计了带AlGaN缓冲层的P-GaN栅增强型AlGaN/GaN HEMT的基本结构,提取了器件势垒层厚度和Al组分渐变时的电学特性,仿真结果得出器件的势垒层厚度范围为取15～20 nm,Al组分范围取0.2 ～0.25时器件特性最优.