AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法

摘要

本发明提供了一种AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法，其中，AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层包括：非掺杂的第一AlGaN层、周期性硅掺杂的第二AlGaN层及非掺杂的第三AlGaN层；第二AlGaN层由多周期的非掺杂AlGaN层和硅掺杂AlGaN层组成。该AlGaN势垒层能够提高二维电子气面密度的同时，有效避免SiH4掺杂引起的晶格缺陷和Al组分偏析，保证二维电子气迁移率和HEMT器件的可靠性。