Electron donors; Electron acceptors; Traps; Aluminum gallium nitrides; Epitaxial growth;
机译:第II部分:关于针对超高击穿AlGaN / GaN HEMT的GaN缓冲器中的工程设计供体和受体陷阱浓度的建议
机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
机译:用AlGaN中间夹层对双异质结构GaN / AlGaN外延层的电性能的表征
机译:AlGaN外延层和GaN / AlGaN量子阱的光学表征
机译:跨剖面AlGaN / GaN设备中陷阱的扫描探针光谱
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压