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严地; 罗谦; 卢盛辉; 靳翀; 罗大为; 周伟; 杨谟华;
电子科技大学微电子学与固体电子学学院;
铝镓氮; 氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 电场; 受主陷阱;
机译:第II部分:关于针对超高击穿AlGaN / GaN HEMT的GaN缓冲器中的工程设计供体和受体陷阱浓度的建议
机译:Fe掺杂缓冲层中受主对具有高k钝化层的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的击穿特性的影响
机译:击穿电压提高的AlGaN / GaN / AlGaN双异质结HEMT的特性
机译:文章:AlGaN / GaN HEMT的击穿电压受器件结构参数的限制:基于TCAD的研究
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:用于开关电力应用的AlGaN / GaN MIS-HEMT的断开状态击穿特性
机译:考虑陷阱和热效应的GaN / alGaN HEmT E类功率放大器设计。
机译:GaN缓冲器中的掺杂和陷阱型材工程最大化AlGaN / GaN HEMT EPI堆栈击穿电压
机译:GaN缓冲中的掺杂和陷阱轮廓工程,可最大程度地提高AlGaN / GaN HEMT EPI击穿电压
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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