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杨勇强; 张贺秋; 薛东阳; 梁红伟; 夏晓川; 徐瑞良; 梁永凤; 韩永坤; 陈帅昊;
大连理工大学微电子学院;
辽宁大连116620;
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管; Pd/Pt合金; 氢传感器; 氢吸附;
机译:检测Pd / AlGaN / GaN HEMT型氢气传感器中的氢检测机理。
机译:PT-AlGaN / GaN HEMT传感器布局优化,用于增强氢检测
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:适用于GHz范围内的化学气体传感器的基于AlGaN / GaN的SAW-HEMT器件
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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