机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
Univ Fukui, Grad Sch Engn, Fukui 9108507, Japan;
机译:具有低RF损耗的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的3C-SiC / Si(111)模板上的缓冲层的金属有机化学气相外延生长
机译:AlGaN / GaN异质结构直接在反应离子蚀刻GaN上生长,显示高电子迁移率(> 1300cm〜2V〜(-1)S〜(-1))
机译:通过金属有机气相外延生长在直径为100 mm的外延AlN /蓝宝石模板上的高电子迁移率AlGaN / AlN / GaN异质结构
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:缓冲层对AlGaN / SiC上的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的热性能的影响
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应