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王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 刘新宇; 刘键; 冉军学; 钱鹤; 曾一平; 李晋闽;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院微电子研究所;
高电子迁移率晶体管; GaN; 二维电子气; RF-MBE; 功率器件;
机译:利用rf-MBE在超级SiC衬底上使用超晶格准AlGaN合金势垒生长GaN-HEMT结构
机译:AlGaN势垒层应变松弛对高Al含量AlGaN / GaN HEMT性能的影响
机译:利用rf-MBE在邻近SiC衬底上使用超晶格准A1GaN合金势垒生长GaN-HEMT结构
机译:MOCVD生长的AlGaN / AlN / GaN HEMT结构,具有成分渐变的AlGaN势垒层
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:具有薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al2O3绝缘栅结构
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:具有高Al AlGaN扩散势垒的III氮化物光电器件结构
机译:具有高Al含量AlGaN扩散势垒的III族氮化物电子器件结构
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