...
机译:利用rf-MBE在超级SiC衬底上使用超晶格准AlGaN合金势垒生长GaN-HEMT结构
R&D Association for Electron Devices, c/o Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Central 2, 1-1-1, Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;
A2. Molecular beam epitaxy; A2. Superlattice; B1. Nitrides; B2. Semiconductiing Ⅲ-Ⅴ materials; B3. High electron mobility transistor;
机译:利用rf-MBE在邻近SiC衬底上使用超晶格准A1GaN合金势垒生长GaN-HEMT结构
机译:RF-MBE对在邻近蓝宝石(0001)衬底上生长的GaN膜和GaN / AlN超晶格结构进行表征
机译:射频MBE在邻近蓝宝石(0001)衬底上生长的GaN / AlN超晶格结构
机译:使用RF-MBE在Si(III)衬底上生长GaN / Al_xGa_(1-x)N(x = 0.65)超晶格
机译:操纵高度晶格不匹配的III-V半导体的外延生长:砷化铟及其在砷化镓衬底上的合金。
机译:在原始GaN(0001)衬底上生长的GaN / AlN超晶格中应变弛豫的特殊性:XRD和AFM的比较研究
机译:在原始GaN(0001)衬底上生长的GaN / AlN超晶格中应变弛豫的特殊性:XRD和AFM的比较研究
机译:在邻近基底上生长的GaInassb中的自组织超晶格