具有极化匹配势垒层的增强型GaN HEMT及制备方法

摘要

本发明公开一种具有极化匹配势垒层的增强型GaN HEMT，由下至上依次为衬底、缓冲层、沟道层及AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层边缘有隔离区，在隔离区之内有源区的AlxInyGa1‑x‑yN势垒层上有源电极、漏电极及栅电极，所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层由极化强度大于沟道层的极化不匹配势垒层和极化强度与沟道层匹配的极化匹配势垒层拼成，所述极化匹配势垒层位于栅电极正投影下方区域内。具有高阈值电压及低沟道导通电阻，制备方法稳定可重复且均匀性高。