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【6h】

增强型超薄势垒AlGaN/GaN HEMT研究

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第一章 绪论

1.1 研究背景

1.2 增强型GaN HEMT的发展与研究现状

1.3 增强型GaN HEMT的应用

1.4 本文的架构和研究内容

第二章 增强型AlGaN/GaN HEMT实现方法

2.1 典型的GaN器件阈值调控技术

2.2 AlGaN/GaN异质结极化调控机理

2.3 本章小结

第三章 增强型超薄势垒AlGaN/GaN HEMT研制与测试

3.1 增强型超薄势垒AlGaN/GaN HEMT仿真与分析

3.2 增强型超薄势垒AlGaN/GaN HEMT制备

3.3 增强型超薄势垒AlGaN/GaN HEMT测试与分析

3.4 本章小结

第四章 增强型超薄势垒混合栅HEMT仿真研究

4.1 超薄势垒混合栅 HEMT器件结构与仿真参数设定

4.2 基于仿真结果的讨论与分析

4.3 本章小结

第五章 总结和展望

5.1 本文的主要工作

5.2 下一步工作展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的研究成果

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著录项

  • 作者

    王景海;

  • 作者单位

    电子科技大学;

  • 授予单位 电子科技大学;
  • 学科 微电子学与固体电子学
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 周琦;
  • 年度 2021
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN7TN4;
  • 关键词

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