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徐宏庆; 修强; 董耀文; 秦海鸿;
正德职业技术学院电子与信息技术系;
南京211106;
南京航空航天大学自动化学院;
常通型; GaNHEMT器件; 高频; 电流崩塌;
机译:常关型GaN HEMT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化
机译:GaN HEMT器件的一种改进的小信号参数提取算法
机译:具有P-GaN门的增强GaN的HEMT器件的进展
机译:P-GAN栅极长度对ALGAN / GAN常压HEMT器件性能的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:常断型GaN基高电子迁移率晶体管概述
机译:关于常关GaN HEmT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化
机译:用于增强型GaN FET的新型半桥栅极驱动器,Lm5113型,宽温度范围
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:基于SI基体的增强型基于GAN的HEMT器件及其制造方法
机译:增强型GaN HEMT器件及其制造方法
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