gallium nitride normally-off HEMT power electronics;
机译:使用开栅结构的过程中测量来评估常关GaN基高电子迁移率晶体管的阈值电压
机译:新的屏障层设计用于制造氮化镓 - 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管常关晶体管
机译:GaN基高电子迁移率晶体管中具有自热效应的电流崩解和栅极滞后在栅极边缘模型处捕获热电子的演示和动态分析
机译:具有高击穿电场的全凹栅常关AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管 * sup>
机译:常压高电子迁移率晶体管的设计,仿真和制造,具有温度稳定性研究
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:飞秒的飞秒亚带动力学的基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管