GaN衬底生长GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片

摘要

采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片进行了研究.通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)面X射线衍射半高宽为408弧秒.对p型GaP的掺杂进行了研究,在GaN上获得了空穴浓度为4.4×1018cm-3,迁移率为8.6cm2/V·s的p型GaP单晶膜生长出了以GaP为p型接触层的GaN基LED外延片。