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任舰;
淮阴师范学院计算机科学与技术学院 江苏淮安 223300;
GaN; 高电子迁移率晶体管; 可靠性;
机译:等离子体辅助分子束外延在4H-SiC上生长AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的最新研究进展
机译:等离子体辅助分子束外延生长的n〜+ -GaN用于Al_(0.15)Ga_(0.85)N / GaN高电子迁移率晶体管的Ti基非合金欧姆接触
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:基于Silvaco的AlGaN / GaN,InAlN / GaN和AlGaAs / GaAs基高电子迁移率晶体管在高频应用中的比较研究
机译:GaN基高电子迁移率晶体管的制造和表征。
机译:常断型GaN基高电子迁移率晶体管概述
机译:GaN基高电子迁移率晶体管结构的MOCVD生长
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。
机译:用于GaN基高电子迁移率晶体管的外延多层结构和包含该结构的晶体管
机译:GaN基高电子迁移率晶体管结构及其制备方法
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