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2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
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1.
Common Mode Modeling and Reduction of GaN-based Full Bridge Inverters
机译:
GaN基全桥逆变器的共模建模和简化
作者:
Wuji Meng
;
Zirui Fu
;
Fanghua Zhang
;
Guangdong Dong
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Bridge circuits;
Power electronics;
Inductors;
Capacitance;
Sensors;
Grounding;
2.
Threshold voltage control for AlGaN/GaN Fin-HEMTs with combined technologies
机译:
结合技术的AlGaN / GaN Fin-HEMT的阈值电压控制
作者:
Meng Zhang
;
Bing Hou
;
Qing Zhu
;
Lixiang Chen
;
Ling Yang
;
Jiejie Zhu
;
Xiaohua Ma
;
Minhan Mi
;
Mei Wu
;
Yue Hao
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Wide band gap semiconductors;
Threshold voltage;
Aluminum gallium nitride;
Plasmas;
3.
IGCT Circuit Model Based on Pspice Modeling Platform
机译:
基于Pspice建模平台的IGCT电路模型
作者:
Yang Song
;
Cailin Wang
;
Wuhua Yang
;
Jing Yang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
power MOSFET;
power semiconductor switches;
semiconductor device models;
silicon compounds;
SPICE;
thyristors;
wide band gap semiconductors;
4.
Novel GaN Power Transistor Substrate Connection to Minimize Common Mode Noise
机译:
新型GaN功率晶体管衬底连接可将共模噪声降至最低
作者:
Ke Li
;
Paul Evans
;
Mark Johnson
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Substrates;
Voltage measurement;
Capacitance;
Gallium nitride;
Current measurement;
Electrical resistance measurement;
Switches;
5.
300W 175°C Half Bridge Power Building Block with High Temperature SiC MOSFETs for Harsh Environment Applications
机译:
具有高温SiC MOSFET的300W 175°C半桥功率构建模块,适用于恶劣环境应用
作者:
Saijun Mao
;
Jelena Popovic
;
Jan Abraham Ferreira
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
Bridge circuits;
Oils;
Switches;
Tools;
Junctions;
6.
Improved f
max
and breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMT with plasma treatment
机译:
通过等离子体处理改善了AlGaN / GaN HEMT中的f
max inf>和击穿电压
作者:
Minhan Mi
;
Yang Lu
;
Yue Hao
;
Xiaohua Ma
;
Ling Yang
;
Bin Hou
;
Meng Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
HEMTs;
Plasmas;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Passivation;
7.
Three dimensional integration of GaN-HEMT-based DC-DC converter using planar inductor as a substrate
机译:
使用平面电感器作为衬底的基于GaN-HEMT的DC-DC转换器的三维集成
作者:
Zhiyuan Qi
;
Jianpeng Wang
;
Kangping Wang
;
Cheng Zhao
;
Zhizhao Niu
;
Laili Wang
;
Yunqing Pei
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Inductance;
Three-dimensional displays;
Layout;
Substrates;
Insulators;
Magnetic noise;
Magnetic shielding;
8.
Simulation of a Short-Channel 4H-SiC UMOSFET with Buried p Epilayer for Low Oxide Electric Field and Switching Loss
机译:
具有低氧化物电场和开关损耗的埋入p外延层的短沟道4H-SiC UMOSFET的仿真
作者:
Zhanwei Shen
;
Feng Zhang
;
Guoguo Yan
;
Zhengxin Wen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
;
Sima Dimitrijev
;
Jisheng Han
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Power line communications;
Electric fields;
Doping;
Silicon carbide;
Logic gates;
Switching loss;
Junctions;
9.
Variable Switching Frequency PWM Strategy for Three-Level NPC Converter Based on Peak Prediction of Current Ripple
机译:
基于电流纹波峰值预测的三电平NPC变换器的可变开关频率PWM策略
作者:
Li Ning
;
Gao Tong
;
Cao Zhihao
;
Zhang Hui
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Switching frequency;
Switches;
Space vector pulse width modulation;
Inductance;
10.
Simulation Study Of An Injection Enhanced SiC IGBT
机译:
注入增强型SiC IGBT的仿真研究
作者:
Haojie Li
;
Xiaoyan Tang
;
Qingwen Song
;
Yuming Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Insulated gate bipolar transistors;
Schottky barriers;
Schottky diodes;
Conductivity;
Doping;
Modulation;
11.
Vibration Energy Harvesting System with MPPT for IoT Applications
机译:
带有MPPT的IoT振动能量收集系统
作者:
Wei Gou
;
Shiquan Fan
;
Li Geng
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Vibrations;
Capacitors;
Maximum power point trackers;
Rectifiers;
Voltage measurement;
Voltage control;
Energy harvesting;
12.
A Phase-Leg Full SiC Power Module Used in Vienna Rectifiers
机译:
维也纳整流器中使用的相腿全SiC功率模块
作者:
Cheng Zhao
;
Laili Wang
;
Jianpeng Wang
;
Zhiyuan Qi
;
Fengtao Yang
;
Yang Chen
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Rectifiers;
Silicon carbide;
Inductance;
Density measurement;
Power system measurements;
Switches;
Solid modeling;
13.
Driving a Silicon Carbide Power MOSFET with a fast Short Circuit Protection
机译:
驱动具有快速短路保护功能的碳化硅功率MOSFET
作者:
Heng Wang
;
Jia Zhao
;
Ziqing Zheng
;
Huibo Sun
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Logic gates;
Integrated circuits;
Silicon;
Insulated gate bipolar transistors;
Switching frequency;
14.
First-principles investigation of point defects at 4H-SiC/SiO
2
interface
机译:
4H-SiC / SiO
2 inf>界面点缺陷的第一性原理研究
作者:
Liu Chenguang
;
Wang Yuehu
;
Wang Yutian
;
Cheng Zhiqiang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Silicon;
Energy states;
Photonic band gap;
Carbon;
Geometry;
15.
A High Efficiency 2.5 kW Bidirectional FB-CLTC Resonant DC–DC Converter with Large Voltage Ratio
机译:
具有大电压比的高效2.5 kW双向FB-CLTC谐振DC-DC转换器
作者:
Bo Chen
;
Ping Wang
;
Yifeng Wang
;
Shuhuai Zhang
;
Liang Yang
;
Fuqiang Han
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Zero voltage switching;
Topology;
Resonant frequency;
Energy storage;
Switches;
DC-DC power converters;
Frequency conversion;
16.
Analytical Switching Loss Model of Cascode GaN HEMTs Based Totem-Pole PFC Converters Considering Stray Inductances
机译:
考虑杂散电感的基于Cascode GaN HEMT的图腾柱PFC转换器的分析开关损耗模型
作者:
Qiqi Li
;
Bangyin Liu
;
Shanxu Duan
;
Liufang Wang
;
Bin Xu
;
Chen Luo
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Switches;
Analytical models;
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
17.
Characterization and Detailed Analysis of The Crosstalk With SiC MOSFET
机译:
SiC MOSFET串扰的表征和详细分析
作者:
Jing Yang
;
Gao Feng
;
Li Huadong
;
Chen Suhong
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Logic gates;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Crosstalk;
Switches;
18.
GaN-based enhancement-mode FinFET with double-channel AlGaN/GaN heterostructure
机译:
具有双通道AlGaN / GaN异质结构的基于GaN的增强模式FinFET
作者:
Chong Wang
;
Xin Wang
;
Xue-Feng Zheng
;
Qing He
;
Ji Wu
;
Ye Tian
;
Wei Mao
;
Xiao Hua Ma
;
Yue Hao
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Wide band gap semiconductors;
Aluminum gallium nitride;
FinFETs;
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Transconductance;
19.
Three-Phase Buck Rectifier Based on SiC MOSFETs Used in Power Factor Correction
机译:
基于SiC MOSFET的三相Buck整流器,用于功率因数校正
作者:
Zhizhao Niu
;
Wei Cheng
;
Yang Chen
;
Laili Wang
;
Zhiyuan Qi
;
Shaojie Song
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Rectifiers;
Aircraft;
Silicon carbide;
MOSFET;
Bridge circuits;
Reactive power;
20.
4H-SiC Light Triggered Thyristor with Gradually Doped Thin n-base
机译:
具有逐渐掺杂的薄n基极的4H-SiC光触发晶闸管
作者:
Xi Wang
;
Hongbin Pu
;
Qing Liu
;
Dandan Hu
;
Yafang Wang
;
Lixiang Du
;
Jiaqi Li
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Thyristors;
Semiconductor process modeling;
Electric fields;
Doping;
Delays;
Junctions;
21.
ZVZCS Buck Converter with Tapped Inductor and Single SiC Switch
机译:
具有抽头电感和单SiC开关的ZVZCS降压转换器
作者:
Ji H. Kim
;
Van X. Thai
;
Bo H. Choi
;
Hoi R. Kim
;
Chun T. Rim
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Capacitors;
Buck converters;
Video recording;
Inductors;
Zero current switching;
Switches;
Snubbers;
22.
Analysis of EMI in Motor System Driven by PWM Inverter
机译:
PWM逆变器驱动的电机系统中的EMI分析
作者:
Feng Niu
;
Shiran Cao
;
Xiaoyan Huang
;
Jian Zhang
;
Kui Li
;
Youtong Fang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Capacitance;
Pulse width modulation;
Permanent magnet motors;
Electromagnetic interference;
Inverters;
Resonant frequency;
23.
Vertical GaN MOSFETs with Over 1.6 kV breakdown voltage: A theoretical studying
机译:
击穿电压超过1.6 kV的垂直GaN MOSFET的理论研究
作者:
Yanni Zhang
;
Zhiyu Lin
;
Jincheng Zhang
;
Yang Dai
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Doping;
Gallium nitride;
MOSFET;
Electric breakdown;
Substrates;
24.
AlGaN/GaN E-mode MOS-HEMT Using Atomic-Layer-Deposited HfLaO
x
as Gate Dielectric
机译:
以原子层沉积的HfLaO
x inf>作为栅介质的AlGaN / GaN E型MOS-HEMT
作者:
Sichao Li
;
Qianlan Hu
;
Xin Wang
;
Mengfei Wang
;
Yanqing Wu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Etching;
Dielectrics;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
25.
Gallium Nitride Power Device Modeling using Deep Feed Forward Neural Networks
机译:
使用深前馈神经网络的氮化镓功率器件建模
作者:
Nikita Hari
;
Soham Chatterjee
;
Archana Iyer
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Switches;
Solid modeling;
Biological neural networks;
Predictive models;
Computational modeling;
Integrated circuit modeling;
26.
On the Static Performance of Commercial GaN-on-Si Devices at Elevated Temperatures
机译:
高温下商用GaN-on-Si器件的静态性能研究
作者:
S. Perkins
;
A. Arvanitopoulos
;
K N. Gyftakis
;
N. Lophitis
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Gallium nitride;
Temperature measurement;
Performance evaluation;
Temperature;
Junctions;
HEMTs;
27.
Common Mode Votage Compensation for Capacitor Voltage Ripple Reduction of 7-kV SiC-based Modular Multilevel Converter
机译:
共模电压补偿,用于降低7kV SiC基模块化多电平转换器的电容器纹波
作者:
Ziwei Ke
;
Jianyu Pan
;
Risha Na
;
Fan Zhang
;
He Li
;
Karun Potty
;
Julia Zhang
;
Jin Wang
;
Longya xu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Capacitors;
Voltage control;
Frequency control;
Voltage fluctuations;
Fluctuations;
Topology;
High frequency;
28.
Automatic V - I Alignment for Switching Characterization of Wide Band Gap Power Devices
机译:
用于宽带隙功率器件的开关特性的自动V-I对准
作者:
Shan Yin
;
Yitao Liu
;
Yunfei Gu
;
Xiong Xin
;
Shuairong Deng
;
Kun Zhou
;
Gang Dai
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Switches;
Probes;
Silicon carbide;
Current measurement;
MOSFET;
Photonic band gap;
Voltage measurement;
29.
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch Within Wide Power Rating Range
机译:
宽额定功率范围内Si / SiC混合开关的栅极控制优化
作者:
Zongjian Li
;
Xi Jiang
;
Cheng Zeng
;
Zhizhi He
;
Jun Wang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Switches;
Silicon carbide;
MOSFET;
Insulated gate bipolar transistors;
Logic gates;
Delays;
30.
Single Phase Integrated Ćuk Transformerless SiC Inverter for Grid-Connected PV Systems
机译:
并网光伏系统单相集成无变压器SiC逆变器
作者:
Saikat Ghosh
;
Kumaran Nathan
;
Teng Long
;
Prabhat Tripathi
;
Yam Siwakoti
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Inverters;
Optical switches;
Topology;
Prototypes;
High frequency;
Leakage currents;
31.
A Reliable Double-Sided 1200-V/600-A Multichip Half-bridge Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Module with High Power Density
机译:
高功率密度的可靠双面1200V / 600A多芯片半桥绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块
作者:
Zheng Wang
;
Yunhui Mei
;
Wen Liu
;
Yijing Xie
;
Shancan Fu
;
Xin Li
;
Guo-Quan Lu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Density measurement;
Power system measurements;
Inductance;
Substrates;
Heating systems;
Packaging;
32.
Novel High-frequency and High-Efficiency Synchronous Buck Converter with a Small Coupled Inductor
机译:
具有小型耦合电感的新型高频高效同步降压转换器
作者:
Chuanyu Xu
;
Chuanlong Dong
;
Jihong Zhang
;
Haoyu Li
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
gallium compounds;
MOSFET;
power convertors;
power inductors;
zero voltage switching;
33.
Influence of Parasitic Capacitances on Transient Current Distribution of Paralleled SiC MOSFETs
机译:
寄生电容对并联SiC MOSFET瞬态电流分布的影响
作者:
Junji Ke
;
Huazhen Huang
;
Peng Sun
;
James Abuogo
;
Zhibin Zhao
;
Xiang Cui
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Capacitance;
Transient analysis;
Silicon carbide;
MOSFET;
Logic gates;
Current distribution;
Capacitance-voltage characteristics;
34.
Layout of Series-connected SiC MOSFET Devices for Medium Voltage Applications
机译:
中压应用的串联SiC MOSFET器件的布局
作者:
Chengmin Li
;
Renju Zheng
;
Wuhua Li
;
Huan Yang
;
Xiangning He
;
Weifeng Hu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Inductance;
Layout;
Heating systems;
Snubbers;
Logic gates;
35.
A Reliable Double-Sided 1200-V/600-A Multichip Half-bridge Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Module with High Power Density
机译:
高功率密度的可靠双面1200V / 600A多芯片半桥绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块
作者:
Zheng Wang
;
Yunhui Mei
;
Wen Liu
;
Yijing Xie
;
Shancan Fu
;
Xin Li
;
Guo-Quan Lu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Density measurement;
Power system measurements;
Inductance;
Substrates;
Heating systems;
Packaging;
36.
Radiation Effects of 5MeV Proton on Wet Oxidation SiO
2
/4H-SiC MOS Capacitor
机译:
5MeV质子对湿氧化SiO
2 inf> / 4H-SiC MOS电容器的辐射效应
作者:
Haojie Li
;
Yuming Zhang
;
Xiaoyan Tang
;
Dongxun Li
;
Qingwen Song
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Protons;
Radiation effects;
Silicon carbide;
MOS capacitors;
Oxidation;
Silicon;
Capacitance-voltage characteristics;
37.
Characterization of SiC MOSFET switching performance
机译:
SiC MOSFET开关性能的表征
作者:
Weiping Zhang
;
Liang Zhang
;
Peng Mao
;
Yuehu Hou
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
capacitance;
equivalent circuits;
field effect transistor switches;
inductance;
mathematical analysis;
MOSFET;
silicon compounds;
SPICE;
switching transients;
wide band gap semiconductors;
38.
Research of high-power converter based on the wide band gap power semiconductor devices for rail transit electrical drive
机译:
基于宽带隙功率半导体器件的轨道交通电驱动大功率变频器的研究
作者:
Lu Zhao
;
Qiongxuan Ge
;
Zhida Zhou
;
Bo Yang
;
Yaohua Li
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Voltage control;
Traction motors;
Inverters;
Rectifiers;
Photonic band gap;
Rails;
39.
DC-Link Capacitors RMS Current Reduction PWM Method Based High Frequency SiC Three-Phase Inverter
机译:
基于直流母线电容器均方根减小电流PWM方法的高频SiC三相逆变器
作者:
Junzhong Xu
;
Yong Wang
;
Yaosheng Lu
;
Jingwen Han
;
Houjun Tang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Inverters;
Silicon carbide;
Capacitors;
Switches;
Space vector pulse width modulation;
Integrated circuits;
40.
Ultralow Angle Bevel-Etched Junction Termination Extension for High Voltage SiC Power Devices
机译:
超低角度斜角刻蚀的结端子扩展,用于高压SiC功率器件
作者:
Kun Zhou
;
Lianghui Li
;
Zhiqiang Li
;
Xinliang Xu
;
Lin Zhang
;
Lei Gao
;
Yinxin Cui Long Zhang
;
Yingkun Yang
;
Yang Zhou
;
Juntao Li
;
Gang Dai
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
etching;
power semiconductor devices;
semiconductor device breakdown;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
41.
Influence of the oxygen in Hot-Carrier-Stress-Induced degradation in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
机译:
氧在热载流子引起的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的降解中的影响
作者:
Lixiang Chen
;
Qing Zhu
;
Bin Hou
;
Jiejie Zhu
;
Xiaohua Ma
;
Yue Hao
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
aluminium compounds;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
hot carriers;
III-V semiconductors;
impact ionisation;
oxidation;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
42.
A Near Ideal Edge Termination Technique for Ultrahigh-Voltage 4H-SiC Devices with Multi-Zone Gradient Field Limiting Ring
机译:
具有多区域梯度场限制环的超高压4H-SiC器件的近乎理想的边缘端接技术
作者:
Xiaochuan Deng
;
Shaodong Xu
;
Bo Zhang
;
Lirao Zeng
;
Chenzhan Li
;
Jia Wu
;
Juntao Li
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Rectifiers;
Electric breakdown;
Limiting;
Voltage measurement;
Junctions;
Electric fields;
43.
LF-OCT Based Non-Destructive Testing for IGBT Module
机译:
基于LF-OCT的IGBT模块无损检测
作者:
Zhiyi Zhao
;
Yihua Hu
;
Yao-Chun Shen
;
Chengmin Li
;
Wuhua Li
;
Weifeng Hu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
data acquisition;
image resolution;
insulated gate bipolar transistors;
lead bonding;
modules;
nondestructive testing;
optical tomography;
44.
High-Power-Density 400VDC-19VDC LLC Solution with GaN HEMTs
机译:
具有GaN HEMT的高功率密度400VDC-19VDC LLC解决方案
作者:
Yajie Qiu
;
Lucas Juncheng Lu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
MOSFET;
Silicon;
Circuit faults;
Density measurement;
45.
Design of a 20MHz eGaN FET-Based Isolated Class E DC-DC Converter
机译:
基于20MHz eGaN FET的隔离式E类DC-DC转换器的设计
作者:
Jiandong Dai
;
Ying Li
;
Xinbo Ruan
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Rectifiers;
DC-DC power converters;
Zero voltage switching;
Power generation;
Field effect transistors;
Resistors;
Switches;
46.
Dynamic Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFET Body Diode at Cryogenic and High Temperatures
机译:
低温和高温下1.2 kV SiC功率MOSFET体二极管的动态特性
作者:
Jinwei Qi
;
Kai Tian
;
Zhangsong Mao
;
Song Yang
;
Wenjie Song
;
Anping Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Silicon carbide;
MOSFET;
Switches;
Current measurement;
Logic gates;
Energy loss;
47.
A new termination structure with FLR and trench for 3.3kV SiC PiN diode
机译:
用于3.3kV SiC PiN二极管的具有FLR和沟槽的新型端接结构
作者:
Cailin Wang
;
Rui Han
;
Lei Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
electric breakdown;
p-i-n diodes;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
48.
A 1MHz Gate Driver for Parallel Connected SiC MOSFETs with Protection Circuit
机译:
具有保护电路的并联SiC MOSFET的1MHz栅极驱动器
作者:
Xuchao Jiang
;
Yuming Zhang
;
Yimeng Zhang
;
Qingwen Song
;
Xiaoyan Tang
会议名称:
《》
|
2018年
关键词:
Manganese;
49.
Gate Drive Design for a Hybrid Si IGBT/SiC MOSFET Module
机译:
Si IGBT / SiC MOSFET混合模块的栅极驱动设计
作者:
Lei Li
;
Puqi Ning
;
Xuhui Wen
;
Yuanjun Bian
;
Dong Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Insulated gate bipolar transistors;
Silicon;
Switches;
Multichip modules;
Logic gates;
50.
Analysis of Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with Double Passivation Layers
机译:
具有双钝化层的AlGaN / GaN HEMT的击穿特性分析
作者:
K. Nakano
;
H. Hanawa
;
K. Horio
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Passivation;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
MODFETs;
Logic gates;
High-k dielectric materials;
51.
Novel Tiny 1.2kV SiC MOSFET Gate Driver
机译:
新型1.2kV微小SiC MOSFET栅极驱动器
作者:
Khuong Vinh Nguyen
;
Nam Nguyen-Quang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Gate drivers;
MOSFET;
Silicon carbide;
Logic gates;
Integrated circuits;
Capacitors;
Inverters;
52.
Design and Optimization of Energy Storage Inductor for High Power High-Frequency DC-DC Converter
机译:
大功率高频DC-DC变换器储能电感的设计与优化
作者:
Xinru Li
;
Saikat Subhra Ghosh
;
Prabhat Ranjan Tripathi
;
Teng Long
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Inductors;
Ferrites;
Powders;
Magnetic cores;
Air gaps;
Silicon carbide;
MOSFET;
53.
A High Performance Isolated High Frequency Converter Based on GaN HEMT
机译:
基于GaN HEMT的高性能隔离式高频转换器
作者:
Yueshi Guan
;
Xihong Hu
;
Yijie Wang
;
Wei Wang
;
Dianguo Xu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Impedance;
Switches;
Harmonic analysis;
High frequency;
Rectifiers;
Stress;
Gallium nitride;
54.
Two Stage GaN Transistor-Based Isolated Class E DC-DC Converter
机译:
基于两级GaN晶体管的隔离式E类DC-DC转换器
作者:
Jiandong Dai
;
Ying Li
;
Xinbo Ruan
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
DC-DC power converters;
Field effect transistors;
Voltage control;
Stress;
Capacitors;
Switches;
Inductors;
55.
Comparative Evaluations and Failure Modes of Wire-Bonding Packaged SiC, Si, and Hybrid Power Modules
机译:
线焊封装式SiC,Si和混合功率模块的比较评估和失效模式
作者:
Xiaoling Li
;
Zheng Zeng
;
Hao Chen
;
Weihua Shao
;
Li Ran
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Multichip modules;
Silicon carbide;
Silicon;
Switching loss;
Hybrid power systems;
Switches;
Logic gates;
56.
Fully recessed-gate normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors with high breakdown electric field
*
机译:
具有高击穿电场的全凹栅常关AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
* sup>
作者:
Yunlong He
;
Qing He
;
Minhan Mi
;
Chong Wang
;
Yue Hao
;
Meng Zhang
;
Ling Yang
;
Xiaohua Ma
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Etching;
Plasmas;
Logic gates;
57.
Power Loss Analysis of a Novel Modular Multilevel Converter Based on Semi-full-bridge Sub-module with SiC-MOSFET Switched Capacitors
机译:
基于半全桥子模块和SiC-MOSFET开关电容器的新型模块化多电平转换器的功耗分析
作者:
Chen Xu
;
Lei Lin
;
Kai Hu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Switches;
Switching loss;
Valves;
Capacitors;
Voltage control;
Capacitance;
Bridge circuits;
58.
A Novel Packaging Method Using Flexible Printed Circuit Board for High-Frequency SiC Power Module
机译:
一种用于高频SiC功率模块的使用柔性印刷电路板的新型封装方法
作者:
Fengtao Yang
;
Laili Wang
;
Jianpeng Wang
;
Cheng Zhao
;
Zhiyuan Qi
;
Yang Chen
;
Yang Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Packaging;
Silicon carbide;
Inductance;
Thermal stability;
Electronic packaging thermal management;
Photonic band gap;
Power electronics;
59.
Adaptive On-Time Control for High Efficiency Switched-Tank Converter
机译:
高效开关罐式转换器的自适应导通时间控制
作者:
Yanchao Li
;
Xiaofeng Lyu
;
Ze Ni
;
Dong Cao
;
Chenhao Nan
;
Shuai Jiang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Switches;
Inductors;
Capacitors;
Switching circuits;
Capacitance;
Stress;
60.
Evaluation of 1.2 kV SiC MOSFETs in Modular Multilevel Cascaded H-Bridge Three-Phase Inverter for Medium Voltage Grid Applications
机译:
在中压电网应用的模块化多级串联H桥三相逆变器中评估1.2 kV SiC MOSFET
作者:
Janviere Umuhoza
;
Haider Mhiesan
;
Kenneth Mordi
;
Chris Farnell
;
H. Alan Mantooth
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Inverters;
Batteries;
Silicon carbide;
Switches;
Medium voltage;
Topology;
MOSFET;
61.
Aging of GaN GIT under repetitive short-circuit tests
机译:
重复短路测试下GaN GIT的老化
作者:
J-Z. Fu
;
F. Fouquet
;
M. Kadi
;
P. Dherbécourt
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Logic gates;
Degradation;
Transistors;
Aging;
Current measurement;
Metallization;
62.
High Performance Normally-Off Al
2
O
3
/AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Diffusion-Controlled Interface Oxidation Technique
机译:
扩散控制界面氧化技术的高性能常关Al
2 inf> O
3 inf> / AlGaN / GaN MOS-HEMT
作者:
Jiejie Zhu
;
Mi Ma
;
Qing Zhu
;
Bin Hou
;
Lixiang Chen
;
Ling Yang
;
Xiaowei Zhou
;
Xiaohua Ma
;
Yue Hao
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Oxidation;
Logic gates;
Aluminum oxide;
Plasmas;
HEMTs;
MODFETs;
Surface treatment;
63.
The Thin Plate Heat Pipe Koch Fractal Wick Structures Investigation
机译:
薄板热管科赫分形灯芯结构研究
作者:
Jun Liu
;
Yunqian Song
;
Zhenyu Wang
;
Rong Gao
;
Binbin Jiao
;
Quan Hu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Heat pipes;
Fractals;
Cooling;
Visualization;
Silicon;
Thermal conductivity;
64.
The Security Protection of SiC MOSFET NPC Tri-level Converter
机译:
SiC MOSFET NPC三电平转换器的安全保护
作者:
Wenjun Wu
;
Yuxi Cai
;
Wenxuan Wang
;
Dongiie Cui
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
Switches;
Schottky diodes;
Insulated gate bipolar transistors;
Silicon;
Inverters;
65.
Capacitor Voltage Ripple Reduction of A 4-Level Hybrid Clamped Converter Using Switching State Redundancy for Medium-Voltage Drive
机译:
使用开关状态冗余的中压驱动器降低4级混合钳位转换器的电容器电压纹波
作者:
Jianyu Pan
;
Risha Na
;
Longya Xu
;
Fan Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Capacitors;
Switches;
Voltage control;
Load modeling;
Frequency control;
66.
Failure Models and Comparison on Short-circuit Performances for SiC JFET and SiC MOSFET
机译:
SiC JFET和SiC MOSFET的故障模型及短路性能比较
作者:
Yuming Zhou
;
Tingting Yang
;
Hangzhi Liu
;
Bing Wang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
JFETs;
Integrated circuit modeling;
Leakage currents;
Logic gates;
67.
Loss Analysis in wireless power transfer system based on GaN
机译:
基于GaN的无线电力传输系统中的损耗分析
作者:
Min Wu
;
Yongbin Jiang
;
Laili Wang
;
Gaidi Ning
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Inverters;
Switches;
Gallium nitride;
Rectifiers;
Resonant frequency;
Analytical models;
High frequency;
68.
Comparison of CF
4
plasma versus Cl
2
plasma dry etching for gate-recessed Normally-off GaN-based MISHEMT
机译:
CF
4 inf>等离子体与Cl
2 inf>等离子体干法刻蚀栅凹型常关GaN基MISHEMT的比较
作者:
Bin Hou
;
Qing Zhu
;
Lixiang Chen
;
Meng Zhang
;
Xinchuang Zhang
;
Jiejie Zhu
;
Ling Yang
;
Xiaowei Zhou
;
Xiaohua Ma
;
Yang Lu
;
Minhan Mi
;
Hengshuang Zhang
;
Mei Wu
;
Yue Hao
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Plasmas;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Gallium nitride;
Etching;
Aluminum oxide;
69.
High Efficiency Quasi Class-J GaN PA with 1.8-3.0GHz Bandwidth
机译:
具有1.8-3.0GHz带宽的高效准J类GaN PA
作者:
Chenxi Huang
;
Zeqiang Chen
;
Peng Li
;
Qin Xia
;
Li Geng
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Impedance;
Impedance matching;
Broadband amplifiers;
Power amplifiers;
Harmonic analysis;
Transistors;
70.
Quantitative Analysis and Suppression Strategies of Dv/dt Induced Turn-on of Cascode GaN FETs in Half-bridge Circuits
机译:
Dv / dt引起的半桥电路中共源共栅GaN FET导通的定量分析和抑制策略
作者:
Tianhua ZHU
;
Fang ZHUO
;
Feng WANG
;
Hailin WANG
;
Xiaoping SUN
;
Shuhuai SHI
;
Baohui MA
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
bridge circuits;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
MOSFET;
semiconductor device models;
wide band gap semiconductors;
71.
Study on interfacial properties of SiC MOS with Barium
机译:
SiC MOS与钡的界面性质研究
作者:
Jiamin Jie
;
Yuming Zhang
;
Xiaoyan Tang
;
Yifan Jia
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Barium;
Annealing;
Silicon carbide;
Capacitance-voltage characteristics;
Photonic band gap;
MOSFET;
Passivation;
72.
A 2.6GHz Class-AB GaN Power Amplifier with Maximum Output Power of 56W Achieving 70 Power Added Efficiency
机译:
2.6GHz AB类GaN功率放大器,最大输出功率为56W,可实现70%的功率附加效率
作者:
Zeqiang Chen
;
Ken Li
;
Kai Jin
;
Chenxi Huang
;
Peng Li
;
Li Geng
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Impedance;
Power amplifiers;
Gallium nitride;
Power generation;
Transistors;
Power transmission lines;
Strips;
73.
A Model Parameter optimization Method of SiC Power MOSFETs
机译:
SiC功率MOSFET的模型参数优化方法
作者:
Yuan Yang
;
Yang Wen
;
Yan Wang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon carbide;
Switches;
Semiconductor device modeling;
Transient analysis;
Logic gates;
Integrated circuit modeling;
74.
Study of the SiO
2
/4H-SiC Interface Obtained by Oxidation of Nitrogen Doped Nanoscale Epitaxial Layer
机译:
氮掺杂纳米外延层氧化获得SiO
2 inf> / 4H-SiC界面的研究
作者:
Guannan Tang
;
Xiaoyan Tang
;
Yuming Zhang
;
Yifan
;
Jia
;
Yimen Zhang
;
Qingwen Song
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Nitrogen;
Silicon carbide;
Oxidation;
Interface states;
Nanoscale devices;
Temperature measurement;
Current measurement;
75.
High Breakdown Field AlGaN/GaN HEMT with AlN Super Back Barrier
机译:
具有AlN超背势垒的高击穿场AlGaN / GaN HEMT
作者:
Y. L. Fang
;
Y. M. Guo
;
J. Y. Yin
;
B. Wang
;
Z. R. Zhang
;
J. Li
;
W. L. Lu
;
N. Gao
;
Z. H. Feng
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
aluminium compounds;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
leakage currents;
power HEMT;
semiconductor device breakdown;
wide band gap semiconductors;
76.
Extra Device Capacitance in Three-level Converters and Loss Re-evaluation via Conventional DPT Data
机译:
三电平转换器中的额外设备电容以及通过常规DPT数据进行的损耗重新评估
作者:
Bo Liu
;
Edward Jones
;
Ren Ren
;
Zheyu Zhang
;
Fred Wang
;
Daniel Costinett
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Capacitance;
Switching loss;
Rectifiers;
Junctions;
Transient analysis;
Gallium nitride;
Switches;
77.
A Novel Cascode GaN Switch Integrating Paralleled GaN DHEMTs for High-Power Applications
机译:
集成并行GaN DHEMT的新型Cascode GaN开关,适用于高功率应用
作者:
Tianhua Zhu
;
Fang Zhuo
;
Feng Wang
;
Hailin Wang
;
Xinlu He
;
Shuhuai Shi
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
driver circuits;
elemental semiconductors;
field effect transistor switches;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power HEMT;
power MOSFET;
power semiconductor switches;
silicon;
wide band gap semiconductors;
78.
Obtaining Exact Electrical Parameters in Semiconductor Ohmic Contacts Using a Novel Electrode Pair Layout Design
机译:
使用新型电极对布局设计获得半导体欧姆接触中的精确电参数
作者:
Huolin Huang
;
Zhonghao Sun
;
Yaqing Cao
;
Feiyu Li
;
Lizhong Hu
;
Feng Zhang
;
Zhengxin Wen
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Electrodes;
Ohmic contacts;
Integrated circuit modeling;
Resistance;
Gallium nitride;
Layout;
Analytical models;
79.
Composite Modular Power Delivery Architecture for Next-Gen 48V Data Center Applications
机译:
适用于下一代48V数据中心应用的复合模块化电源架构
作者:
Xiaofeng Lyu
;
Yanchao Li
;
Ze Ni
;
Jalen Johnson
;
Dong Cao
;
Chenhao Nan
;
Shuai Jiang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Stress;
Regulators;
Capacitors;
Inductors;
Data centers;
Switches;
DC-DC power converters;
80.
A 10kV 4H-SiC PiN Diode with Gradual Doping Buffer Layers and p+ Adjusting Regions at Cathode
机译:
10kV 4H-SiC PiN二极管,具有逐渐掺杂的缓冲层和阴极的p +调节区
作者:
Cailin Wang
;
Le Su
;
Lei Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
buffer layers;
p-i-n diodes;
power semiconductor diodes;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
81.
General Modeling and Loss Prediction of SiC Power Module
机译:
SiC功率模块的一般建模和损耗预测
作者:
Zhida Zhou
;
Qiongxuan Ge
;
Lu Zhao
;
Bo Yang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Junctions;
Integrated circuit modeling;
Silicon carbide;
Mathematical model;
Inductance;
MOSFET;
82.
Carrier Transport mechanisms contributing to the sub-threshold current in 3C-SiC-on-Si Schottky Barrier Diodes
机译:
载流子传输机制有助于3C-SiC-on-Si肖特基势垒二极管中的亚阈值电流
作者:
A. Arvanitopoulos
;
S. Perkins
;
K. N. Gyftakis
;
N. Lophitis
;
M. R. Jennings
;
M. Antoniou
会议名称:
《》
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2018年
关键词:
Silicon;
Schottky barriers;
Silicon carbide;
Schottky diodes;
Tunneling;
Computational modeling;
Electron traps;
83.
48V to 1V voltage regulator module with magnetic integration
机译:
具有磁性集成的48V至1V稳压器模块
作者:
Fei Li
;
Laili Wang
;
Shan Cao
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Magnetic cores;
Magnetic resonance;
Magnetic flux;
Inductors;
Zero voltage switching;
Capacitors;
Topology;
84.
Three-layer Structure Triboelectric Electricity Generator with ULP Rectifier for Mechanical Energy Harvester
机译:
带有ULP整流器的三层结构摩擦式电力发电机,用于机械式能量收集器
作者:
Wei Gou
;
Shiquan Fan
;
Li Geng
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Generators;
Rectifiers;
Energy harvesting;
Mechanical energy;
Batteries;
Vibrations;
Frequency measurement;
85.
Analysis of Schottky Forward Current Transport Mechanisms in AlGaN /GaN HEMTs over a Wide Temperature Range
机译:
宽温度范围内AlGaN / GaN HEMT中肖特基正向电流传输机制的分析
作者:
Mei Wu Yue Hao
;
Qing Zhu
;
Ling Yang
;
Xiaohua Ma
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Temperature;
Logic gates;
Temperature measurement;
Temperature dependence;
Schottky barriers;
Tunneling;
Plasma temperature;
86.
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch Within Wide Power Rating Range
机译:
宽额定功率范围内Si / SiC混合开关的栅极控制优化
作者:
Zongjian Li
;
Xi Jiang
;
Cheng Zeng
;
Zhizhi He
;
Jun Wang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Junctions;
Switches;
Silicon carbide;
MOSFET;
Insulated gate bipolar transistors;
Logic gates;
Delays;
87.
A New Auxiliary Power Supply System of Magnetic Levitation Train Based on SiC MosFet
机译:
基于SiC MosFet的新型磁悬浮列车辅助电源系统。
作者:
Pengcheng Han
;
Xiaoqiong He
;
Yang Chen
;
Xu Peng
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Power supplies;
Frequency conversion;
Frequency control;
Resonant frequency;
Magnetic levitation;
Frequency modulation;
Inverters;
88.
Impact of Parasitic Elements on Power Loss in GaN-based Low-voltage and High-current DC-DC Buck Converter
机译:
GaN基低压大电流DC-DC Buck转换器中寄生元素对功率损耗的影响
作者:
Wanjun Chen
;
Yajie Xin
;
Yijun Shi
;
Maolin Li
;
Chao Liu
;
Qi Zhou
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
;
Wanjun Chen
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Transistors;
Inductance;
Resistance;
Schottky diodes;
Gallium nitride;
Buck converters;
Logic gates;
89.
A Digital Control Method with Feedforward Reconstruction for Improved Sampling Interference Suppression in GaN HEMTs based Totem-pole PFC Converters
机译:
基于前馈重构的数字控制方法,用于改善基于GaN HEMT的图腾柱PFC转换器中的采样干扰抑制
作者:
Wencheng Zhao
;
Bangyin Liu
;
Shanxu Duan
;
Wanxing Sheng
;
Ming Wu
;
Zhenhao Song
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Voltage control;
Feedforward systems;
Gallium nitride;
Bandwidth;
Reactive power;
PI control;
90.
Measurement of Carrier Lifetime in 4H-SiC PiN Diodes Employing OCVD Method at Different Temperature
机译:
在不同温度下采用OCVD方法测量4H-SiC PiN二极管载流子寿命
作者:
Bing Yao
;
Xiaoyan Tang
;
Lei Yuan
;
Qingwen Song
;
Chao Han
;
Yuming Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
carrier lifetime;
minority carriers;
MOSFET;
p-i-n diodes;
semiconductor device models;
silicon compounds;
technology CAD (electronics);
wide band gap semiconductors;
91.
The Drive Circuit Design for Paralleling Operation of Enhancement GaN HEMT in an Isolated DC-DC converter
机译:
隔离式DC-DC转换器中并联GaN HEMT并联操作的驱动电路设计
作者:
Zhang Yajing
;
Wang Jiuhe
;
Li Hong
;
Wang Lijie
;
Li Yan
;
Trillion Q. Zheng
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Logic gates;
Inductance;
HEMTs;
Resistance;
Layout;
Switches;
92.
Switching Characterization and Low Inter-winding Capacitance Gate Driver Power Supply of 1200V SiC MOSFET for the 300kHz 10kW Inverter
机译:
300kHz 10kW逆变器的1200V SiC MOSFET的开关特性和低绕组间电容栅极驱动器电源
作者:
Saijun Mao
;
Jelena Popovic
;
Jan Abraham Ferreira
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
MOSFET;
Gate drivers;
Power supplies;
Switches;
Capacitance;
Windings;
93.
A Physics-based Lumped-charge Model for SiC MPS Diode Implemented in PSPICE
机译:
在PSPICE中实现的基于物理的SiC MPS二极管集总电荷模型
作者:
Yaoqiang Duan
;
Yingjie Jia
;
Yifei Luo
;
Xin Li
;
Binli Liu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Schottky diodes;
Junctions;
Integrated circuit modeling;
Mathematical model;
Silicon carbide;
Semiconductor device modeling;
94.
Current Sharing Analysis of Paralleled GaN HEMT Via Feedback Theory
机译:
基于反馈理论的并联GaN HEMT均流分析
作者:
Mao Zhang
;
Weiping Zhang
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
HEMTs;
Switches;
Inductance;
Logic gates;
Threshold voltage;
Negative feedback;
95.
Design of a High-Efficiency Wireless Charging System for Electric Vehicle
机译:
电动汽车高效无线充电系统设计
作者:
Jie Liu
;
Yue Zhang
;
Zheng Wang
;
Ming Cheng
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Coils;
Voltage measurement;
Wireless power transfer;
Capacitors;
Current measurement;
Silicon carbide;
Couplings;
96.
Power Module with Large Short Term Current Capability by Using Phase Change Material
机译:
使用相变材料的短期大电流能力功率模块
作者:
Weihua Shao
;
Li Ran
;
Zheng Zeng
;
Ruizu Wu
;
Philip Mawby
;
Huaping
;
Jiang
;
Debaprasad Kastha
;
Prabodh Bajpai
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Metals;
Junctions;
Multichip modules;
Circuit faults;
Heat sinks;
Cogeneration;
97.
Reliability investigation of AlGaN/GaN HEMTs under reverse-bias stress at 77K
机译:
反向偏置应力下77K下AlGaN / GaN HEMT的可靠性研究
作者:
Qing Zhu
;
Bin Hou
;
Ling Yang
;
Lixiang Chen
;
Meng Zhang
;
Xiaohua Ma
;
Mei Wu
;
Yue Hao
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
|
2018年
关键词:
Stress;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Electron traps;
Temperature;
HEMTs;
98.
Novel Silicon Carbide Integrated Power Module for EV application
机译:
用于电动汽车的新型碳化硅集成功率模块
作者:
Bassem Mouawad
;
Jordi Espina
;
Jianfeng Li
;
Lee Empringham
;
C. Mark Johnson
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Silicon carbide;
JFETs;
Multichip modules;
Power electronics;
Cooling;
Substrates;
Flexible printed circuits;
99.
High-Voltage 4H-SiC GTO Thyristor with Multiple Floating Zone Junction Termination Extension
机译:
具有多个浮区结扩展的高压4H-SiC GTO晶闸管
作者:
Xingliang Xu
;
Kun Zhou
;
Lin Zhang
;
Zhiqiang Li
;
Lianghui Li
;
Juntao Li
;
Gang Dai
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Implants;
Silicon carbide;
Thyristors;
Junctions;
Logic gates;
Electric breakdown;
Anodes;
100.
A GaN-Based Integrated Modular Motor Drive for Open-Winding Permanent Magnet Synchronous Motor Application
机译:
基于GaN的集成式模块化电动机驱动器,用于开绕式永磁同步电动机应用
作者:
Zihan Gao
;
Dong Jiang
;
Wubin Kong
;
Cai Chen
;
Haiyang Fang
;
Cong Wang
;
Dawei Li
;
Yi Zhang
;
Ronghai Qu
会议名称:
《2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia》
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2018年
关键词:
Motor drives;
Pulse width modulation;
Topology;
Inverters;
Silicon;
Density measurement;
Power system measurements;
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