一种新型增强型GaN HEMT器件结构

摘要

本发明的内容为提供一种新型V字形沟槽结构的GaN HEMT器件的结构及制备方法。通过V字形腰部引出的栅电极加电压控制栅电极两边AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气(2DEG)浓度，来调控器件开关状态。其中，两侧的电流往V字形底部传输到Si衬底，通过Si衬底与最下层的背衬底漏极接触，这就实现了通过栅电极调控源、漏电极导通形成电流传输的V字形沟槽结构的GaN HEMT器件。本发明在传统垂直型结构的基础上提供一种新型V字形沟槽结构的GaN HEMT器件的想法，以克服现有结构的不足。