钛酸锶钡

摘要： 采用溶胶沉淀法并结合熔盐辅助热处理,通过调节钡锶物质的量比制备了一系列纳米钛酸锶钡(Ba_(1-x)Sr_(x)TiO_(3),x=0.1、0.33、0.5、0.74、0.8)粉体。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、介电常数测试仪等测试手段,分析反应产物晶体结构,表征产物微观形貌并研究其介电性能。结果表明:钛酸锶钡纳米粉体具有钙钛矿型结构,且颗粒形貌为四方形或球形,平均粒径为70~100 nm,其中Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_(3)、Ba_(0.67)Sr_(0.33)-TiO_(3)具有四方钙钛矿结构。1 kHz时Ba_(0.67)Sr_(0.33)TiO_(3)样品的介电常数高达1680,介电损耗为0.043,居里温度为27.3°C。

摘要： 氨是一种重要的工业原料,也是一种潜在的绿色能源,在环境条件下利用可再生能源将氮气还原合成氨是一种有吸引力的方法,但是开发高效光电化学合成氨的催化剂仍然是一个挑战。在此,采用两步法制备BaSrTiO_(3),并用管式炉煅烧将Pt纳米颗粒修饰在BaSrTiO_(3)上制备Pt@BaSrTiO_(3)。采用XRD、BET、XPS、SEM、TEM、UV-Vis和PL进行表征,分析所得催化剂的晶体结构、形貌和光学性能。研究BaSrTiO_(3)和Pt@BaSrTiO_(3)在常温常压下光电化学合成氨性能。结果表明Pt@BaSrTiO_(3)在-0.3 V(vs.RHE)电位下合成氨的产率为26.57×10^(-8) mol·h^(-1)·mg^(-1),是纯BaSrTiO_(3)的2倍(13.12×10^(-8) mol·h^(-1)·mg^(-1))。另外,Pt@BaSrTiO_(3)作为催化剂在-0.3 V(vs.RHE)的法拉第效率为5.43%。通过在BaSrTiO_(3)上修饰Pt,增加催化剂的活性位点。修饰Pt减小催化剂的带隙,可见光吸收范围增大。此外,Pt-BST异质结结构进一步增强电荷分离和转移,抑制电子-空穴对的复合从而提高电荷分离效率。这项工作为进一步设计钙钛矿催化剂来提高氨的产率提供了良好的思路。

摘要： 采用流延热压工艺制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_(3)(BST)/聚偏氟乙烯(PVDF)⁃聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜,研究了PMMA含量对复合材料微观组织结构和介电性能的影响规律。结果表明,BST相能够均匀分散在聚合物基体中,归因于PMMA与PVDF良好的相容性,2种聚合物之间的界面不分明;随着PMMA含量的增加,复合材料的介电常数先降低后升高,耐击穿强度和介电可调性先增加后减少。PMMA含量(体积分数)为15%的BST/PVDF⁃PMMA_(15)复合材料的综合性能最佳:介电常数为23.2,介电损耗为0.07,耐击穿强度为1412 kV·cm^(-1),在550 kV·cm^(-1)偏压场下,介电可调性为26.2%。

摘要： 0-3型钛酸锶钡(BST)与聚四氟乙烯(PTFE)复合材料是一种新型的陶瓷/高聚物功能复合材料,可以兼具BST材料与PTFE材料的优点,可表现出较高的介电常数和介电可调性。但是受聚合物相介电常数低的限制,常规方法(流延法)制备的以聚合物为基体,以陶瓷为填充相的复合材料的介电常数基本在100以下。为了进一步提高BST/PTFE复合材料的介电性能,本研究采用一种新型烧结工艺——冷烧结工艺实现BST陶瓷与PTFE高聚物的共烧。在试验中以BST为基体,引入体积比例为5%的PTFE,并引入固相八水合氢氧化钡(Ba(OH)_(2)·8H_(2)O)作为过渡液相以辅助烧结过程进行,制备0-3型BST/PTFE复合材料,并探究了不同冷烧结条件下复合材料的介电性能。结果表明,复合材料样品在冷烧结温度为275°C,压力为200 MPa,时间为2.5 h的条件下,介电常数可达到500以上(25°C,1 kHz)。相对于常规制备工艺,冷烧结工艺制备出的复合材料的介电常数有很大改进,这对陶瓷/高聚物功能复合材料的低温制备与研究有一定参考意义。

摘要： 以柠檬酸三胺为分散剂,聚乙烯醇(PVA)为粘结剂,聚乙二醇(PEG)为增塑剂,采用水基流延的方式制备钛酸锶钡(BST)流延膜。实验结果表明:当BST固含量为84.5%,柠檬酸三胺的质量分数为0.35%,PVA的质量分数为5%,PEG与PVA的质量比为0.6时,可制备出高质量的BST流延膜。叠加不同层数的BST流延膜加压后,在1235°C烧结可以得到不同厚度的BST薄片,其介电常数为3300,介质损耗为0.03。测试了所制备BST薄片的挠曲电性能,发现随着薄片厚度从400μ_(12)m减小到200μ_(12)m,横向挠曲电系数μ_(12)从0.23μ_(12)C/m增大到0.43μ_(12)C/m,等效压电应变常数d从396 pC/N增加到6306 p C/N,表现出明显的尺寸效应。可以预测,在BST薄片厚度达到微纳米尺度时,挠曲电材料要远优于常规的压电材料。

摘要： 钛酸锶钡(BST)是钛酸锶(SrTiO_(3))固溶于钛酸钡(BaTiO_(3))而形成的固溶体,是一种重要的电子陶瓷材料。本文选择烧结温度为1420°C的BST陶瓷作为研究对象,为挖掘其性能潜力,探索退火热处理时间因素对BST陶瓷介电性能的影响,研究不同退火时间后,BST陶瓷的介电常数、损耗、可调性、击穿强度的影响,研究表明,退火热处理能提高BST陶瓷的可调性、击穿强度,降低其介电常数与损耗。

摘要： 钛酸锶钡(BST)是钛酸锶(SrTiO3)固溶于钛酸钡(BaTiO3)而形成的固溶体,经高温烧结后的陶瓷,出现了晶粒大小不一、组分不均匀、晶界较多的状况,且常常夹杂着玻璃相和气孔相,而这些都会对其电性能造成影响.因此文章拟通过气氛烧结来改善陶瓷材料的微观组织,挖掘其性能潜力.通过选择优化后的烧结温度1420°C烧结的B S T陶瓷作为研究对象,对BST陶瓷的微观组织进行了研究,研究表明,气氛烧结工艺能减少BST陶瓷的微观组织缺陷,提高致密度,使晶粒尺寸更加均匀.

摘要： 本文提出了一种基于正交耦合器和BST可调电容器的反射式移相器的设计.BST材料的介电常数随偏置电压所提供的不同的静电场而发生变化.因此,通过控制外部电压,可以连续地获得有效的变化介电常数和移相器的反射相位.利用PLD技术实现了0.3μm厚的BST薄膜,并采用微加工和氧化铝衬底组成的可调谐电容来测试其微波性能.通过将耦合器和采用钛酸锶钡薄膜可调电容器构成的反射负载相结合,在微带线上设计了DC偏置电路,用于施加直流电压.在0V至60V电压范围内,通过测试和分析,获得BST薄膜的介电常数调谐范围为310-455.通过ADS和HFSS的仿真模拟,在提供不同的偏置电压BIAS可在25GHz-45 GHz频率范围内实现了90°相移和2.9dB插入损耗,S参数仿真结果表明,所设计的移相器具有令人满意的传输特性.

摘要： 由山东耐高电力器材有限公司申请的专利(公布号CN 111592762A,公布日期2020-08-28)“用于冷缩电缆附件的硅橡胶应力控制材料及其制备方法”,涉及的材料配方为:乙烯基硅橡胶100,炭黑5~30,气相法白炭黑5~10,结构化控制剂3~10,钛酸锶钡5~30,防老剂0.1~3,交联剂0.1~2。该材料具有较大的介电常数和体积电阻、优异的应力控制性能,用其制备的阻容式应力管的场强均匀分布,不会发生击穿和发热现象。

摘要： 通过X射线光电子能谱、紫外-可见漫反射光谱、傅里叶变换红外光谱和拉曼光谱研究了(Ba,Sr)TiO3微晶玻璃的铈掺杂效应。玻璃体系为BaO-SrO-TiO2-Al2O3-SiO2(Ce摩尔分数为0%、1%、2%、3%)。随着Ce摩尔含量增加,Ce在(Ba,Sr)TiO3晶格中的占位从Ce 4+取代Ti 4+位的形式逐渐变成了以Ce 3+进入Ba 2+/Sr2+位的形式,伴随Ce3+和Ce4+离子相对含量的变化。玻璃中添加CeO2增加了网络结构的连通性。在微晶玻璃中,随着Ce摩尔分数的增加(0%到2%),禁带宽度减小,电子跃迁所需能量降低,价带电子易从价带跃迁至导带,电导率增加;相反地,Ce摩尔分数从2%增加到3%时,禁带宽度增加,电导率下降。拉曼光谱结果证实了铈离子(Ce3+和Ce4+)在(Ba,Sr)TiO3晶格中的取代,并发现铈掺杂改变了该晶相的四方性。

摘要： 本文主要针对红外探测器成像用钛酸锶钡(BST)热释电陶瓷在不同温度和电场作用下的电导机制展开系统研究.研究发现,室温下,随着测试电压的增大,BST热释电陶瓷的电导机制分别由欧姆电导、饱和模式和介电非线性调制的空间电荷限制电流(SCLC)模式主导;110°C时,由典型的SCLC模式主导.进一步通过改变电极材料研究了电极对陶瓷的电导性能的影响.

摘要： 本文综述了用于混成式非致冷红外焦平面用钛酸锶钡热释电陶瓷材料的制备与性能研究现况，评价了钛酸锶钡热释电陶瓷材料的制备工艺与性能的基本关系。报道了采用热压烧结制备的钛酸锶钡热释电陶瓷材料不同方向（垂直与平行）的微结构与性能。指出我国高性能热释电陶瓷材料研究的一些发展方向。

摘要： 钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,简称BST)是一种典型的钙钛矿结构铁电材料,具有介电常数高、损耗和漏电流低、优异的铁电和热释电性能等特点,在微波调谐器、移相器、动态随机储存器、非制冷红外探测器、可调滤波器、储能器件和多层陶瓷电容器(MLCC)等方面有广泛的应用前景.文中综述了钛酸锶钡材料的结构、制备、掺杂改性以及它们和材料性能的关联,介绍了钛酸锶钡在相关领域的应用研究,并提出了钛酸锶钡材料进一步研究的重点和发展趋势.

摘要： 钛酸锶钡系统电光移相器材料具有功率处理能力大、驱动功率小、相移量控制简单、相移速度快、插入损耗小、体积小、重量轻等优点，但不足在于介电常数高导致损耗大、系统匹配性差。稀土元素氧化物如Nd2O3等的加入可以有效地缓解这一情况。通过对掺杂不同含量Nd2O3的样品的介电常数、损耗及偏场性能的测试，初步讨论了Nd2O3对BSTO的改性机理。

摘要： 军用雷达技术的发展迫切需要一种介电常数适中，调谐率高、介电损耗小的介电调谐材料,本文采用传统的陶瓷制备工艺制备了不同Mg掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4(Ti1-xMgx)O3（x=0、0.01、0.03、0.05、0.07）（BSTM）陶瓷。研究了Mg2+掺杂浓度和含量对陶瓷的相结构、微观形貌、介电特性、调谐特性等的影响规律。Ba0.6Sr0.4(Ti0.97Mg0.03)O3陶瓷具有最高的优值，达到了127.8，其在室温下1kHz时，介电常数和介电损耗分别为2411和0.00133，17.5kV/cm的外加电场下调谐率为17.0%。

摘要： 军用雷达技术的发展迫切需要一种介电常数适中，调谐率高、介电损耗小的介电调谐材料,本文采用传统的陶瓷制备工艺制备了不同Mg掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4(Ti1-xMgx)O3（x=0、0.01、0.03、0.05、0.07）（BSTM）陶瓷。研究了Mg2+掺杂浓度和含量对陶瓷的相结构、微观形貌、介电特性、调谐特性等的影响规律。Ba0.6Sr0.4(Ti0.97Mg0.03)O3陶瓷具有最高的优值，达到了127.8，其在室温下1kHz时，介电常数和介电损耗分别为2411和0.00133，17.5kV/cm的外加电场下调谐率为17.0%。

摘要： 军用雷达技术的发展迫切需要一种介电常数适中，调谐率高、介电损耗小的介电调谐材料,本文采用传统的陶瓷制备工艺制备了不同Mg掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4(Ti1-xMgx)O3（x=0、0.01、0.03、0.05、0.07）（BSTM）陶瓷。研究了Mg2+掺杂浓度和含量对陶瓷的相结构、微观形貌、介电特性、调谐特性等的影响规律。Ba0.6Sr0.4(Ti0.97Mg0.03)O3陶瓷具有最高的优值，达到了127.8，其在室温下1kHz时，介电常数和介电损耗分别为2411和0.00133，17.5kV/cm的外加电场下调谐率为17.0%。

摘要： 军用雷达技术的发展迫切需要一种介电常数适中，调谐率高、介电损耗小的介电调谐材料,本文采用传统的陶瓷制备工艺制备了不同Mg掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4(Ti1-xMgx)O3（x=0、0.01、0.03、0.05、0.07）（BSTM）陶瓷。研究了Mg2+掺杂浓度和含量对陶瓷的相结构、微观形貌、介电特性、调谐特性等的影响规律。Ba0.6Sr0.4(Ti0.97Mg0.03)O3陶瓷具有最高的优值，达到了127.8，其在室温下1kHz时，介电常数和介电损耗分别为2411和0.00133，17.5kV/cm的外加电场下调谐率为17.0%。

摘要： 军用雷达技术的发展迫切需要一种介电常数适中，调谐率高、介电损耗小的介电调谐材料,本文采用传统的陶瓷制备工艺制备了不同Mg掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4(Ti1-xMgx)O3（x=0、0.01、0.03、0.05、0.07）（BSTM）陶瓷。研究了Mg2+掺杂浓度和含量对陶瓷的相结构、微观形貌、介电特性、调谐特性等的影响规律。Ba0.6Sr0.4(Ti0.97Mg0.03)O3陶瓷具有最高的优值，达到了127.8，其在室温下1kHz时，介电常数和介电损耗分别为2411和0.00133，17.5kV/cm的外加电场下调谐率为17.0%。

摘要： 军用雷达技术的发展迫切需要一种介电常数适中，调谐率高、介电损耗小的介电调谐材料,本文采用传统的陶瓷制备工艺制备了不同Mg掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4(Ti1-xMgx)O3（x=0、0.01、0.03、0.05、0.07）（BSTM）陶瓷。研究了Mg2+掺杂浓度和含量对陶瓷的相结构、微观形貌、介电特性、调谐特性等的影响规律。Ba0.6Sr0.4(Ti0.97Mg0.03)O3陶瓷具有最高的优值，达到了127.8，其在室温下1kHz时，介电常数和介电损耗分别为2411和0.00133，17.5kV/cm的外加电场下调谐率为17.0%。

摘要： 一种SBT-BST异质介电材料及其合成方法和应用。该材料以Si片作衬底，由多层衬底电极和沉积在其上的多层膜组成，多层衬底电极由Si片和依次沉积在Si片的表面上的SiO

摘要： 一种SBT－BST异质介电材料及其合成方法和应用。该材料以Si片作衬底，由多层衬底电极和沉积在其上的多层膜组成，多层衬底电极由Si片和依次沉积在Si片的表面上的SiO

摘要： 本发明属于电子材料与器件技术领域，具体涉及一种介电可调的过渡金属元素化合物掺杂钛酸锶钡复合钨酸钡陶瓷介质材料及其制备方法。该掺杂陶瓷介质材料的组分为：x％A+[(1-x％)*y％]Ba

摘要： 本发明公开了一种钛酸锶钡-钛酸铅热释电陶瓷的制备方法，具体步骤为①按(1-y)Ba

摘要： 本发明属于电子材料与器件技术领域，具体涉及一种介电可调的过渡金属元素化合物掺杂钛酸锶钡复合钨酸钡陶瓷介质材料及其制备方法。该掺杂陶瓷介质材料的组分为：x％A+[(1-x％)*y％]Ba

摘要： 本发明公开了一种高储能密度钛酸锶钡‑钛酸铋钠基微晶玻璃复合陶瓷材料，其化学成分符合通式Ⅰ：(100‑λ)wt％(Ba0.3Sr0.7)x(Bi0.5Na0.5)1‑xTiO3+λwt％{(Ba0.3Sr0.7)x(Bi0.5Na0.5)1‑xTiO3‑αAl2O3‑βSiO2}，其中，λ＝2～14、x＝0.3～0.8、α＝10～14、β＝20～24。此外，还公开了上述高储能密度钛酸锶钡‑钛酸铋钠基微晶玻璃复合陶瓷材料的制备方法。本发明基于BSxBNT陶瓷，并引入BaO‑SrO‑TiO2‑SiO2‑Al2O3体系微晶玻璃改性，得到的复合陶瓷具有高介电常数、高电击穿强度、高储能密度，可应用于储能电容器材料领域，作为高功率密度储能电介质的候选材料。本发明工艺过程稳定可靠，并且降低了烧成温度，节约了生产成本，适合大规模生产，有利于实现工业化生产。

摘要： 本发明公开了一种钛酸锶钡-钛酸铅热释电陶瓷及其制备方法，具体步骤为①按(1-y)Ba

摘要： 本发明公开了一种钛酸锶钡-钛酸镁陶瓷的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的钛酸锶钡-钛酸镁陶瓷材料湿敏响应滞后、高湿环境中易潮解的技术问题，其技术方案是将碳酸钡，碳酸锶和二氧化钛粉体混合后，在丙酮中球磨，然后煅烧制备钛酸锶钡粉体；钛酸锶钡粉体与六水和氯化镁在玛瑙研钵中研磨混合制备钛酸锶钡-钛酸镁粉体；然后烧结得到钛酸锶钡-钛酸镁陶瓷。由于利用钙钛矿相的A位原子对湿度的敏感性，通过其他元素取代A位原子，提升了其对湿度的敏感性。

摘要： 一种钛酸锶钡与正钛酸镁复合陶瓷，用通式(1－y)Ba

摘要： 铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片。微波介质陶瓷广泛应用于卫星、雷达、移动通信等众多领域，20世纪后期，微电子信息处理技术和电子信息技术获得了快速的发展，这极大促进了微波移动通信技术的发展需求。一种铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片，其组成包括：铌镁酸钡膜（1）、钛酸锶钡膜（2），所述的铌镁酸钡膜上复合钛酸锶钡膜，然后再复合铌镁酸钡膜，再复合铌镁酸钡膜，如此反复，将铌镁酸钡膜和钛酸锶钡膜交替复合成层叠结构，烧结而成陶瓷片。本实用新型用于卫星、雷达、移动通信等。