能带
能带的相关文献在1983年到2023年内共计1778篇,主要集中在物理学、无线电电子学、电信技术、化学
等领域,其中期刊论文694篇、会议论文6篇、专利文献1078篇;相关期刊504种,包括沈阳工业大学学报、功能材料、微型计算机等;
相关会议6种,包括第19届全国儿科药学学术会议、第十二届全国原子与分子物理学术会议、第十二届中国固态离子学学术会议等;能带的相关文献由3476位作者贡献,包括张勇、柴永泉、迈尔柯·伊萨等。
能带
-研究学者
- 张勇
- 柴永泉
- 迈尔柯·伊萨
- 刘启能
- 不公告发明人
- 伊利佳·杜库夫斯基
- 吉恩·A.·C·S·F·伊普彤
- 斯科特·A.·柯瑞普斯
- 李辉
- 陈相治
- 黄江
- P·帕里克
- 吴益逢
- 宋方
- 张克勤
- 欧阳三元
- 赵辉
- 郭灿新
- 郭连权
- 马贺
- 黄成军
- 何磊
- 向思衡
- 孙厚才
- 戴永胜
- 李大业
- 李晋闽
- 王子君
- 童军
- 罗伯特·J.·梅尔斯
- 闫彪
- 刘嘉慧
- 刘方旭
- 刘永锋
- 刘磊
- 卢勇波
- 吴迪
- 宋勇波
- 崔玉亭
- 应晓伟
- 张丽丽
- 张超
- 张连
- 李斌胜
- 杜敏鹏
- 梅联超
- 王军喜
- 王定胜
- 程新路
- 章永凡
-
-
张春艳;
苗锦;
王振华;
蔡苇
-
-
摘要:
全无机铯铅卤化物钙钛矿凭借带隙窄、量子效率高等诸多优点逐渐被用于光催化领域,但在光催化实际反应中依旧面临着稳定性不高、电子-空穴对分离速率低等问题,因此科研人员通过改性对钙钛矿进行性能优化。本文简述了通过离子掺杂、表面处理等手段调控钙钛矿的能带结构,通过离子掺杂、表面处理以及材料复合等手段提高钙钛矿稳定性,以及通过不同类型异质结的构筑促进钙钛矿材料电子-空穴对分离的相关研究进展,并对未来的研究方向进行了展望。
-
-
任一鸣;
薛丽;
胡正龙;
胡永红
-
-
摘要:
本文以不同堆垛方式,构建了5种双层MoSe_(2)结构,分别记为AA、AA1、A1B、AB、AB1。基于第一性原理计算,对5种结构进行结构优化,优化结果显示AA1堆垛方式最为稳定.为探究应变对AA1结构的电子特性的调控作用,对AA1结构施加了-10%~10%的平面双轴应变.能带结构的计算结果表明压缩应变和拉伸应变分别可以改变价带顶和导带底的位置,但是不能让双层MoSe_(2)从间接能隙半导体变成直接能隙半导体.在应变作用下(2.5%压缩应变外),AA1结构的能隙值不断减小.在10%的拉伸应变作用下,能隙值甚至减小到0,让双层MoSe_(2)变为了金属.投影态密度结果表明价带顶和导带底处主要是Mo d和Se p轨道的杂化作用.而双层Mo与Mo原子间距d_(Mo-Mo),Mo与Se原子间的键长d_(Mo-Se),Se-Mo-Se间的夹角α对投影态密度分布都有调控作用.
-
-
高贝;
朱冯;
蒯家靖;
马春兰
-
-
摘要:
过渡金属硫化物(TMDCs)是一种受到国内外学者广泛关注的新型二维材料,尤其是它与一些二维层状材料构成的异质结进一步拓展了其在新型光电器件领域的应用。本文综述了近几年通过第一性原理方法研究外电场对单层及双层TMDCs(MoS2,MoSe2,MoTe2,WS2)、两种或者多种TMDCs组建的异质结、TMDCs与BNC型二维层状材料(g-C3N4、g-C2N、BC3和C3N)组建的异质结、TMDCs与石墨烯组建的异质结等材料体系的能带特性的影响。研究表明适当的外电场可以有效地调控TMDCs材料及其异质结的能带结构、自旋极化以及电荷转移,从而使得TMDCs材料及其异质结在光电器件领域有着重要的应用。
-
-
张腾;
王俊强;
齐越;
李孟委
-
-
摘要:
石墨烯作为力敏膜片已被广泛应用于压力传感器中,但石墨烯压力传感器理论模型尚未完善,极大地制约了石墨烯压力传感器的设计及制作.石墨烯压力传感器压阻效应是外部压力引起石墨烯电阻变化的现象,外界压力作用于石墨烯压力传感器时,石墨烯产生应变从而使石墨烯能带结构发生改变,产生带隙,影响费米能级以及费米速度.利用密度泛函理论及第一性原理仿真软件分析得到费米能级及跳跃速度随应变的增加而减小,且带隙是石墨烯电阻发生改变的直接影响因素,比较扶手椅型方向与锯齿型方向石墨烯带隙变化情况,得出沿不同拉伸方向石墨烯带隙变化情况近似相等,应变与带隙的关系为|Eg|∝1.2ε.
-
-
卢伟涛
-
-
摘要:
以石墨烯为代表的二维六角晶体材料是凝聚态物理和材料物理的研究热点.随着对二维材料的深入研究,Dirac电子的能谷自由度引起了人们极大的关注.类似于自旋电子学,可以利用谷自由度作为信息载体设计新颖的纳米电子器件,即谷电子学.本文首先介绍了石墨烯和硅烯基本的电子性质,然后介绍了谷电子学方面的研究进展.重点回顾并讨论了由磁场、电场、应力场和交换场等构建的几类超晶格外场对Dirac电子能谷和自旋相关物理特性的影响规律.最后是对谷电子性质相关研究的总结和展望.
-
-
唐大富;
田晋忠;
张永梅
-
-
摘要:
基于密度泛函理论的VASP(Vienna ab-initio simulation package)软件包进行第一性原理计算,研究压力状态下Al7Cu2Fe相的能带和各向异性变化情况.结果表明,在0~50 GPa的压力范围内Al7Cu2Fe相具有金属性,且压力有助于提高能带中原子轨道的扩展性.Al7Cu2Fe相的(100)和(010)晶面的弹性各向异性随着压力升高而增强,而(1(1)0)晶面的弹性各向异性随着压力的升高呈波动上升趋势.基于准谐德拜模型,研究Al7Cu2Fe相的体积模量、德拜温度、热容和热膨胀系数随温度和压力的变化情况.结果表明,外加压力和温度对Al7Cu2Fe相热力学性质的影响是相反的.外加压力能有效提升Al7Cu2Fe相的体积模量和德拜温度,而温度升高会导致体积模量和德拜温度降低.Al7Cu2Fe相的热容和热膨胀系数在温度和压力下的变化规律基本一致.
-
-
廖彩新;
李素
-
-
摘要:
一根小草能带富一村人。这话要是说在3年前,很多人都不信。如今,这根小草却成了龙南市龙南镇黄沙畲族村脱贫致富的"金钥匙",这片紫色花海也成了畲族村脱贫路上的最美底色。一根小草如何能带富一村人?日前,笔者深入龙南镇黄沙畲族村进行探秘。
-
-
何颖君;
吴仰杨;
杨俊桦;
黄丽波;
陈星源;
徐祥福
-
-
摘要:
基于密度泛函理论计算了水分子在二维TiOBr2表面吸附的稳定性,电荷转移和能带的性质.比较了水分子在二维TiOBr2的top位,bridge位和top使的吸附能.计算结果表明水分子吸附在二维TiOBr2表面的hollow位较为稳定,但是吸附能较小为物理吸附.二维TiOBr2表面的Br原子电荷向水分子的氧原子转移.能带计算结果表明水分子并没有在单层TiOBr2引起明显的杂质能级.
-
-
刘凯龙;
彭冬生
-
-
摘要:
单层二硫化钼是制作各种微纳元器件及柔性电子器件较为理想的材料.然而在实践和应用中,材料受到环境所导致的应变是一个无法避免的关键问题,材料的电子结构也会随应变而发生改变.本文基于第一性原理并结合湿法转移后的拉伸实验,研究了拉伸应变对单层二硫化钼光电特性的影响.结果表明:1)本征单层二硫化钼为直接带隙半导体,禁带宽度为1.68 eV;吸收系数曲线最强峰位于10.92 eV附近,最大吸收系数为1.66×105 cm–1.2)开始施加拉应变(1%)时,其能带结构从直接带隙转变为间接带隙;随着应变的增大,能带仍然保持间接带隙的特征,且禁带宽度呈现线性下降的趋势;当拉应变为10%时,禁带宽度降为0 eV.吸收系数曲线随应变施加而发生红移.3)通过对湿法转移后的单层二硫化钼进行拉伸实验,拉曼光谱中的面内模式E12g和面外模式A1g峰都会随拉伸而发生红移,且两峰的峰值频率差保持在18.6 cm–1左右;在光致发光谱1.83 eV处观察到单层二硫化钼的A激子的强发射峰.随着拉应变的变大,峰值相对强度降低并且线性红移,代表带隙的线性减小,与理论计算结果相符.
-
-
邹晓晶;
郑晓波;
寇兴;
王魏魏;
关威
-
-
摘要:
随钻声波测井近年来逐渐发展为新兴的勘探方式,但钻探过程中产生的钻铤波会影响地层信号的提取,众多研究学者将如何更有效地提取地层信号作为了研究的重点课题.该文基于声子晶体理论设计了一种新型隔声体,相对于传统刻槽结构能够更好地压制钻铤波.首先基于周期结构理论,利用有限元软件计算了不同刻槽结构的能带图,相比于传统刻槽结构,新型隔声体有更宽的带隙,说明新型刻槽结构可以更有效地阻隔钻铤波.接着在测井模型中对刻槽结构进行频响函数曲线的计算,验证了新型刻槽结构隔声效果在所计算频率范围内优于传统刻槽结构.然后分析了在能带计算和频响曲线计算下隔声效果最好的声源频率(17 kHz和22 kHz)时新型刻槽结构的时间慢度相关法处理对比.最后对比声源频率17 kHz下,新型刻槽和传统刻槽结构时间慢度相关法信号处理的结果,可以发现,声源频率17 kHz时新型刻槽结构能更好地提取地层折射横波和纵波.
-
-
-
-
孟醒;
黄祖飞;
徐晓光;
孙源;
陈岗
- 《第十二届中国固态离子学学术会议》
| 2004年
-
摘要:
应用第一原理的密度泛函方法,我们研究钙钛矿型稀土镍氧化物LuNiO的电子结构.LuNiO在高温正交结构(空间群Pbnm)和低温单斜结构(空间群P2)的能带图表明随着温度的降低存在着金属—绝缘体转变.金属—绝缘体转变过程中,镍离子价态的变化可以通过电荷歧化特征值δ来表征.δ可由Ni-3d电子态密度中非键t部分反映.通过t态密度在正交和单斜相的相比变化,可能算得δ=0.26±0.01.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 朗迅科技公司
- 公开公告日期:2002-06-05
-
摘要:
ISB光发射器的RT区包括预偏移SL和多个分裂的量子阱(SPQW)。SPQW是被足够薄的第一势垒层分裂成多个子阱的量子阱,该足够薄的第一势垒层把上能态与下能态分裂,分裂宽度超过它们的自然增宽,并对每个RT区内的不同微能带产生影响。与之相反,相邻的SPQW则通过第二势垒层相互耦合。要选取后一种层的厚度,使横越每个RT区上建立微能带。在一个实施例中,该发射器包括相邻RT区之间的I/R区,而在另一个实施例中,则省去I/R区。
-
-
-