外量子效率
外量子效率的相关文献在1986年到2022年内共计181篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、化学
等领域,其中期刊论文111篇、会议论文17篇、专利文献83963篇;相关期刊65种,包括材料导报、材料科学与工程学报、功能材料等;
相关会议16种,包括第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)、2011年全国半导体光源系统学术年会、第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED)等;外量子效率的相关文献由521位作者贡献,包括于涛、周军红、杨存宇等。
外量子效率—发文量
专利文献>
论文:83963篇
占比:99.85%
总计:84091篇
外量子效率
-研究学者
- 于涛
- 周军红
- 杨存宇
- 田志鹏
- 田汉民
- 罗旭东
- 薛国刚
- 贺小光
- 邹志刚
- 陆震伟
- 代国章
- 刘军林
- 刘祖明
- 吴健鸥
- 娄朝刚
- 张国义
- 张波
- 彭景翠
- 李宏建
- 李景天
- 杨德志
- 殷海玮
- 江风益
- 牛萍娟
- 田苗苗
- 谢强
- 陈文彬
- 马东阁
- 马逊
- 黄维
- HE Lin
- LI Guomeng
- Luo Xu-dong
- WEI Jinbei
- Wu Jian-ou
- Zhou Jun-hong
- 丁杰
- 乔士柱
- 付红兵
- 何麟
- 冯异
- 刘守
- 刘文姝
- 刘晶
- 刘玉萍
- 刘颂豪
- 初蓓
- 区伟能
- 史华红
- 吴中林
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陈翠芬;
张铁民;
王梓霖;
高连丛;
苏畅;
王可;
王安琛;
黄忠梅;
黄伟其;
彭鸿雁
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摘要:
为了获取高量子效率的硅基光源,利用纳秒脉冲激光在单晶硅片上制备微米级的圆孔形腔阵列,对该样品在高温退火处理后出现的性能进行研究。腔内形成的量子点在波长710 nm附近有很强的光致发光峰。将样品放在1000°C下进行高温退火处理,通过控制退火时间,对比研究退火前后的激发光功率变化的光致发光光谱,可以观察到自发辐射和受激辐射的变化趋势。同时,在退火20 min的腔中不同位置测量到光致发光的强度不同,发现腔体边缘的光致发光最强,这可能与腔体边缘上分布了大量的量子点发光有关。最后,采用标准的LED定标方法测量了腔内的最大光致发光外量子效率(PL-EQE)。检测结果显示退火后腔体内的外量子效率可达9.29%。
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曹修东;
张会红;
田野;
张毅;
顾港伟;
张晓伟
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摘要:
金属纳米颗粒的表面等离子体共振效应能够对特定波长入射光的吸收或者散射增强,正因为其独特的光学性质,金属纳米颗粒被尝试应用于荧光太阳集光器。本文利用全无机钙钛矿CsPbBr_(3)量子点、Au纳米颗粒和硫醇-烯聚合物制备荧光太阳集光器。研究发现,掺杂适量Au纳米颗粒可以通过表面等离子体共振效应提高全无机钙钛矿CsPbBr_(3)量子点荧光太阳集光器的外量子效率。当Au纳米颗粒的掺杂浓度为2.0×10^(-6)时,荧光太阳集光器的外量子效率为12.3%,相比未掺杂Au纳米颗粒的荧光太阳集光器的外量子效率提升了78.2%。进一步提高Au纳米颗粒的掺杂浓度,荧光太阳集光器的外量子效率下降。荧光发射谱和荧光寿命谱测试结果显示,当Au纳米颗粒的掺杂浓度超过2.0×10^(-6)时,过高的Au纳米颗粒掺杂浓度导致CsPbBr_(3)量子点与Au纳米颗粒之间发生非辐射能量转移,荧光太阳集光器荧光量子产率(η_(PL,LSC))下降导致了外量子效率下降。
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查吴送;
张连萍;
文龙;
康嘉晨;
骆群;
陈沁;
杨上峰;
马昌期
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摘要:
钙钛矿太阳能电池以其高效、低成本的特点备受关注。到目前为止,钙钛矿太阳能电池的最高光电转换效率已经超过25%,显示出良好的应用前景。钙钛矿薄膜的结晶性能是决定器件性能的关键,因此,调控钙钛矿薄膜的生长过程至关重要。本工作中,我们发现通过简单调节前驱体溶剂,即调节二甲基亚砜:1,4-丁内酯:N,N-二甲基甲酰胺(DMSO:GBL:DMF)的三种混合溶剂的比例,可实现钙钛矿薄膜中PbI_(2)和PbI_(2)(DMSO)含量的调节,从而调节电池的器件性能。此外,本工作系统研究了PbI_(2)和PbI_(2)(DMSO)的含量对器件性能的影响。结果表明,PbI_(2)(DMSO)的形成会导致300–425 nm波长范围内电池的外量子效率(EQE)降低,从而导致器件性能下降。相反,通过在前驱体溶液中添加额外的碘化亚甲基铵(MAI),可以抑制PbI_(2)和PbI_(2)(DMSO)的形成。
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徐海英;
刘茂生;
姜明明;
缪长宗;
王长顺;
阚彩侠;
施大宁
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摘要:
基于半导体低维微纳结构构筑的可见光发光器件,特别是位于500~600 nm波段的黄绿光光源,因具有较高的发光效率、长寿命和低功耗等特点,在超高分辨率显示与照明、单分子传感和成像等领域有着广泛的应用价值。由于高性能低维黄绿色发光器件在发光材料制备、器件结构以及发光器件的“Green/yellow gap”和“Efficiency droop”等方面受到严重限制,极大地影响了低维微纳结构黄绿光发光器件的开发和应用。本文采用单根镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)微米线和p型InGaN衬底构筑了异质结基黄光发光二极管,其输出波长位于580 nm附近,半峰宽大约为50 nm。随注入电流的增加,光谱的峰位和半峰宽几乎没有任何变化,也没有观察到InGaN基光源中常见的量子斯塔克效应。器件相应的色坐标始终处于黄光色域范围。更为重要的是,器件的外量子效率在大电流注入下并没有出现较大的下降。结合单根ZnO∶Ga微米线和InGaN的光致发光光谱,以及n-ZnO∶Ga/p-InGaN异质结能带结构理论,可以推断该制备器件的发光来自于ZnO∶Ga微米线和InGaN结区界面处载流子的辐射复合,器件的Droop效应得到明显抑制。实验结果表明,n-ZnO∶Ga微米线/p-InGaN异质结可用于制备高性能、高亮度的低维黄光发光二极管。
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吴润锋;
陆冠桦;
郑华;
林生晃;
陈荣盛;
刘佰全
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摘要:
金属卤化物钙钛矿材料具有可调的发光波长、高光致发光量子效率、高色饱和度、低成本和室温溶液加工等优点,有望成为下一代全彩显示和照明领域的有力竞争者。自2014年首次在室温观测到钙钛矿的电致发光效应以来,绿光、红光和近红外钙钛矿发光二极管(Perovskite Light Emitting Diode,PeLED)的外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)已经突破了20%。然而,蓝光PeLED的光电性能仍面临着较大的挑战,这也在很大程度上制约了PeLED的商业化发展。目前,实现蓝光PeLED的方法主要包括卤素掺杂的组分工程和基于量子限域效应的维度工程。综述了近年来三维、准二维和量子点蓝光PeLED的研究和发展,讨论了蓝光PeLED面临的主要问题,并从钝化薄膜缺陷、平衡载流子注入和提升光外耦合出发,归纳了PeLED器件的优化策略,最后总结并展望了PeLED的发展前景。
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王坤华;
姚纪松;
杨俊楠;
宋永慧;
刘雨莹;
姚宏斌
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摘要:
金属卤化物钙钛矿作为一类新型的离子型直接带隙半导体材料在电致发光二极管(LED)中有着重要应用前景.但实现其应用的前提在于金属卤化物钙钛矿材料需要保持高的发光效率和好的稳定性.为了提高金属卤化物钙钛矿作为LED发光层的激子结合效率,从而提升其发光效率,设计和合成金属卤化物钙钛矿纳米晶材料是一个有效途径.目前,基于纳米晶材料设计的金属卤化物钙钛矿LED在绿光和红光(包括近红外光)范围已经展现了高的发光亮度和外量子效率(EQE),其中最高EQE已经超过了20%,但其稳定性仍无法满足器件应用的要求.此外,更值得关注且更重要的是,蓝光钙钛矿LED的发光亮度和EQE目前仍然不高.如何制备高效、稳定的金属卤化物钙钛矿纳米晶LED,特别是蓝光LED,是一个具有重大应用前景且具有挑战性的课题.本文重点介绍了金属卤化物钙钛矿纳米发光层的结构设计和合成方法及金属卤化物钙钛矿LED的研究进展,分析了金属卤化物钙钛矿LED不稳定的原因,并对金属卤化物钙钛矿LED研究面临的挑战和未来发展方向进行了总结与展望.
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皮慧慧;
李国辉;
周博林;
崔艳霞
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摘要:
钙钛矿量子点具有光致发光量子产率高、发光光谱可调、光谱宽度窄、缺陷容忍度高以及独特的量子限域效应等优点,因此成为研制新型高效率发光二极管(LED)的热门材料。本文介绍了近几年基于钙钛矿量子点LED的研究最新进展。首先,介绍了钙钛矿量子点独特的晶体结构及钙钛矿发光器件的工作原理。然后,阐述了合成高光致发光量子产率(PLQY)量子点的方法及提高钙钛矿量子点LED效率的若干方法。最后,分析了当前钙钛矿量子点LED所面临的挑战如不稳定性及毒性,以及可应用在显示和照明方面的高效率LED所展现的前景。本综述为研制更高效率以及更加安全的钙钛矿量子点发光器件提供了有益的见解。
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皮慧慧;
李国辉;
周博林;
崔艳霞
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摘要:
钙钛矿量子点具有光致发光量子产率高、发光光谱可调、光谱宽度窄、缺陷容忍度高以及独特的量子限域效应等优点,因此成为研制新型高效率发光二极管(LED)的热门材料.本文介绍了近几年基于钙钛矿量子点LED的研究最新进展.首先,介绍了钙钛矿量子点独特的晶体结构及钙钛矿发光器件的工作原理.然后,阐述了合成高光致发光量子产率(PLQY)量子点的方法及提高钙钛矿量子点LED效率的若干方法.最后,分析了当前钙钛矿量子点LED所面临的挑战如不稳定性及毒性,以及可应用在显示和照明方面的高效率LED所展现的前景.本综述为研制更高效率以及更加安全的钙钛矿量子点发光器件提供了有益的见解.
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赵彩霞;
张波;
杨飞飞;
孟秀峰
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摘要:
本文针对PERC(钝化发射极背面接触)电池生产中,常压氧化制备氧化层热氧亲水性较差的问题,通过优化调整常压氧化工艺沉积温度,并经亲水性、EL(电致发光)、EQE(外量子效率)、电性能测试等测试表征,研究表明:常压条件下进行氧化层制备,较低的沉积温度下,沉积速率较大,其所沉积氧化层致密度高,钝化效果好.
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孙丽媛;
卢鹏;
邓漫君;
仝庆
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摘要:
钙钛矿材料因其发光量子产率高,载流子迁移率高以及发光峰位可调控等特性而在发光二极管领域得以广泛研究.本文简要介绍了钙钛矿材料器件结构及发光机理,综述了其在发光二极管领域的最新研究进展,浅谈了目前存在的问题及未来发展方向.
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WEI Jinbei;
魏金贝;
LI Guomeng;
李国孟;
HE Lin;
何麟
- 《2018中国显示学术会议》
| 2018年
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摘要:
为了获得高效的有机电致发光器件性能,业内目前大多采用掺杂的单发光层器件结构.高亮度下激子浓度过高,激子淬灭严重,将直接导致器件效率的下降,不利于功耗的降低.与单发光层器件结构相比,双发光层器件结构能够有效地拓展激子复合区域、大幅度提升激子的利用率进而降低效率滚降.对比单发光层器件,双发光层的引入能够有效地改善器件性能,提升器件效率.制备的双发光层绿光器件表现出了优异的器件性能,其最大外量子效率突破了20%,在500cd/m2、1000cd/m2以及5000cd/m2下外量子效率分别为19.3%、18.8%以及17.1%,表现出较小效率滚降.
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赵双易;
刘翔凯;
顾伟;
谭华;
黄琨;
倪朕伊;
梁骁勇;
颜聿聪;
余学功;
李东升;
金一政;
马向阳;
皮孝东;
杨德仁
- 《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会》
| 2017年
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摘要:
对于量子点发光二极管(QLEDs)而言,利用界面层对其进行性能优化已经成为提升器件效率的最主要的方式之一.1,2,3选择合适的界面层可以有效地调控载流子的注入以使电子和空穴的注入尽量平衡,也可以降低由于载流子浓度过高而引起的发光淬灭,还能有效降低漏电流.利用原子层沉积(ALD)的方法在传输空穴的Ni0层与发近红外光的硅量子点(SiQDs)层之间插入不同厚度的A1203界面层。研究发现,当插入的A1203界面层厚度为5.7nm时,基于玻璃衬底的器件的光功率密度和外量子效率得到了明显的提升,分别达到了14μW/cm2和~0.1%(如图1),在把玻璃衬底换成柔性衬底后,有A1203界面层的SiQDs近红外发光二极管可以在被弯折情况下工作。
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沈军林;
严婷婷;
艾凡凡;
杨健;
陈如龙;
张光春
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
利用反应离子刻蚀(RIE)技术,可实现晶体硅太阳能电池的亚微米绒面,本文介绍了在多晶硅预制绒基片上进行等离子强化制绒形成亚微米绒面,得到的硅片表面具有优良的陷光效果,硅片表面平均反射率在9%左右,淀积SiNx 减反射膜后,反射率能够降到4%左右.但在等离子强化制绒过程中,由于等离子轰击所产生的表面损伤降低了电池短波段的内量子效率(IQE),实验研究发现,通过加强淀积SiNx 减反射膜过程中的氢钝化效果、高方阻工艺等措施,可修复电池的前表面损伤,得到较高的有效少子寿命.最终在表面减反射优势明显的情况下,电池的外量子效率(EQE)大幅提升,电池转换效率较常规微米级绒面电池提升0.5%以上.
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