具有增强近红外量子效率及调制传递函数的CMOS图像传感器

摘要

本发明涉及一种具有增强近红外量子效率及调制传递函数的CMOS图像传感器。一种图像传感器包括：半导体材料，其具有受照表面及非受照表面；光电二极管，其形成于所述半导体材料中，从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光，其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷；转移栅极，其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所述所生成的电荷；浮动扩散，其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷；及近红外NIR量子效率QE及调制传递函数MTF增强结构。