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高外量子效率的深紫外LED及其制备方法

摘要

本发明涉及高外量子效率的深紫外LED及其制备方法,其包括上表面和下表面均设置有正六边阵列形排布的微圆顶型结构的图形化的蓝宝石衬底,其上表面设置外延叠层,外延叠层具有一暴露n‑AlGaN层的mesa台阶,n‑AlGaN层表面靠近外延叠层中多量子阱的一侧设置有Al‑SiO2核壳结构的纳米颗粒阵列。上下对称的微圆顶型图形化蓝宝石衬底的使用不仅能够提高光的出射概率,使光提取效率增加,还可以降低AlGaN外延层的缺陷密度,降低非辐射复合,提升其内量子效率;纳米颗粒阵列通过Al纳米粒子的局域表面等离子激元共振效应,与LED发出的光子产生共振,使得量子阱附近场强增强,增大内量子效率。

著录项

  • 公开/公告号CN113054064A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南师范大学;

    申请/专利号CN202110299523.0

  • 申请日2021-03-22

  • 分类号H01L33/06(20100101);H01L33/32(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/40(20100101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构44463 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人耿鹏

  • 地址 510000 广东省广州市天河区中山大道西55号

  • 入库时间 2023-06-19 11:39:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-22

    授权

    发明专利权授予

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