晶硅太阳电池亚微米绒面技术研究与应用

摘要

利用反应离子刻蚀(RIE)技术,可实现晶体硅太阳能电池的亚微米绒面,本文介绍了在多晶硅预制绒基片上进行等离子强化制绒形成亚微米绒面,得到的硅片表面具有优良的陷光效果,硅片表面平均反射率在9%左右,淀积SiNx 减反射膜后,反射率能够降到4%左右.但在等离子强化制绒过程中,由于等离子轰击所产生的表面损伤降低了电池短波段的内量子效率(IQE),实验研究发现,通过加强淀积SiNx 减反射膜过程中的氢钝化效果、高方阻工艺等措施,可修复电池的前表面损伤,得到较高的有效少子寿命.最终在表面减反射优势明显的情况下,电池的外量子效率(EQE)大幅提升,电池转换效率较常规微米级绒面电池提升0.5%以上.