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封飞飞; 刘军林; 江风益;
中国光学光电子行业协会;
硅衬底; 垂直结构; 光衰; 外量子效率; 主波长;
机译:昭和电工开发大功率GaN蓝光LED-从明年开始月产3000万片的芯片业务
机译:3C-SiC / Si衬底上的InGaN / GaN多量子阱蓝光LED
机译:用于大功率GaN基倒装芯片发光二极管的低电阻Al基反射器
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:通过由单层纳米球产生的锥形结构增强GaN基倒装芯片发光二极管的输出功率
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:Si衬底上GaN基器件的热处理方法
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