首页> 中文会议>第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 >Si衬底上生长GaN基蓝光LED

Si衬底上生长GaN基蓝光LED

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1mW,反向电压大于15V,电致发光波长为460nm,半峰宽为30nm,表明本单位已经突破中等亮度的Si基GaN蓝光二极管材料生长及器件制造技术.

著录项

来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|212-215|共4页
会议地点大连
作者
莫春兰; 方文卿; 刘和初; 周毛兴; 江风益;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.22;TN304.055;TN312.8;
关键词
发光二极管; 氮化镓; 硅衬底; 金属有机化学气相沉淀;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Si衬底GaN基蓝光LED老化性能 [J] . 肖友鹏 ,莫春兰 ,邱冲 . 发光学报 . 2010,第003期
2. SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响 [J] . 邱冲 ,刘军林 ,郑畅达 . 发光学报 . 2008,第005期
3. 刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响 [J] . 张萍 ,刘军林 ,郑畅达 . 半导体学报：英文版 . 2008,第3期
4. 静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响 [J] . 乐淑萍 ,郑畅达 ,江风益 . 南昌大学学报（理科版） . 2007,第003期
5. MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响 [J] . 韩军 ,张宝顺 ,赵佳豪 . 发光学报 . 2018,第009期
6. Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究 [C] . 封飞飞 ,刘军林 ,江风益 . 第十二届全国LED产业研讨与学术会议（2010’LED） . 2010
7. 含V形坑的Si衬底GaN基蓝光LED发光性能研究 [A] . 吴小明 . 2014

Si衬底上生长GaN基蓝光LED

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅