一种高亮度LED窄垒外延结构

摘要

利用量产型MOCVD设备成功生长出了InGaN/GaN量子阱/量子垒的厚度为3.2nm/5.2nm的窄垒结构外延片,与同期生长的9nm厚的量子垒的外延片同批制作成芯片.测试结果表明,5.2nm的窄垒LED芯片较9nm的厚垒LED芯片较亮度在60mA和120mA工作电流下分别高16.9％和20.9％;在电流密度分别为25A/cm2、50A/cm2、75A/cm2、100A/cm2下,测算两种芯片的外量子效率,结果显示垒5.2nm样品LED芯片比垒9nm样品芯片的外量子效率分别高7.85％、8.67％、8.86％、8.95％,说明垒5.2nm样品芯片在电流密度增大时的效率衰减幅度明显小于垒9nm样品芯片;因此可以得出,窄垒外延结构不仅可以提高外延片的亮度,而且可以有效的抑制LED在高电流密度下的效率衰减.