发光光谱

摘要： 论文名称:光散射多孔结构微发泡制造及量子点LED应用论文作者:华南理工大学/余树东指导教师:汤勇《研究领域:表面功能结构制造、微电子散热、LED封装等。》量子点(Quantum dot,QD)具有发光光谱窄且可调等优点,有望成为发光二极管(Light-emitting diode,LED)下一代的荧光转化材料,并在显示,照明和可见光通信等领域展示出广阔的应用前景。然而由于QD存在弱吸收以及内全反射等问题,导致QDLED器件效率低下,这极大地阻碍了QD-LED器件的商用化应用。在白金龟鳞片多孔结构的启发下,本论文以微发泡制造为核心,从QD膜到器件结构,对QD-LED进行整体设计与优化,提升QD-LED的效率和光色性能。

摘要： 论文名称:光散射多孔结构微发泡制造及量子点LED应用论文作者:华南理工大学/余树东指导教师:汤勇《研究领域:表面功能结构制造、微电子散热、LED封装等。》量子点(Quantum dot,QD)具有发光光谱窄且可调等优点,有望成为发光二极管(Light-emitting diode,LED)下一代的荧光转化材料,并在显示,照明和可见光通信等领域展示出广阔的应用前景。然而由于QD存在弱吸收以及内全反射等问题,导致QDLED器件效率低下,这极大地阻碍了QD-LED器件的商用化应用。在白金龟鳞片多孔结构的启发下,本论文以微发泡制造为核心,从QD膜到器件结构,对QD-LED进行整体设计与优化,提升QD-LED的效率和光色性能。

摘要： 论文名称:光散射多孔结构微发泡制造及量子点LED应用论文作者:华南理工大学/余树东指导教师:汤勇《研究领域:表面功能结构制造、微电子散热、LED封装等。》量子点(Quantum dot,QD)具有发光光谱窄且可调等优点,有望成为发光二极管(Light-emitting diode,LED)下一代的荧光转化材料,并在显示,照明和可见光通信等领域展示出广阔的应用前景。然而由于QD存在弱吸收以及内全反射等问题,导致QDLED器件效率低下,这极大地阻碍了QD-LED器件的商用化应用。在白金龟鳞片多孔结构的启发下,本论文以微发泡制造为核心,从QD膜到器件结构,对QD-LED进行整体设计与优化,提升QD-LED的效率和光色性能。

摘要： 论文名称:光散射多孔结构微发泡制造及量子点LED应用论文作者:华南理工大学/余树东指导教师:汤勇《研究领域:表面功能结构制造、微电子散热、LED封装等。》量子点(Quantum dot,QD)具有发光光谱窄且可调等优点,有望成为发光二极管(Light-emitting diode,LED)下一代的荧光转化材料,并在显示,照明和可见光通信等领域展示出广阔的应用前景。然而由于QD存在弱吸收以及内全反射等问题,导致QDLED器件效率低下,这极大地阻碍了QD-LED器件的商用化应用。在白金龟鳞片多孔结构的启发下,本论文以微发泡制造为核心,从QD膜到器件结构,对QD-LED进行整体设计与优化,提升QD-LED的效率和光色性能。

摘要： 通过垂直沉积自组装制备了三维蛋白石光子晶体填充绿色荧光碳点的复合材料(G?CDs/SiO2?PCs).利用光纤光谱仪测试了复合材料的布拉格反射光谱,探讨光谱的角度和偏振依赖性.结果表明,当入射光线偏离(111)面时,反射峰发生蓝移并伴随着多重衍射峰的出现.角度依赖性的测量可以在s偏振光下进行,其多重布拉格衍射效应比p偏振光下更为明显.稳态和瞬态发光光谱研究表明,G?CDs/SiO2?PCs在垂直组装方向上荧光强度增强5.8倍,同时荧光寿命增强1.4倍.本研究结果将为光子晶体操控自发辐射提供有用指导.

摘要： 采用射频磁控溅射镀膜技术制备样品,利用XRD和PL光谱技术对Ce掺杂ZnO材料的光学特性进行研究,分析稀土元素掺杂对ZnO晶体能带结构的影响.发现Ce掺杂使ZnO的晶格结构发生变化,随着掺杂量的增加,ZnO的发光强度增大;溅射源O2的流量也会影响Ce掺杂ZnO对光的吸收和发光强度.

摘要： 自旋是基本粒子(电子、光子)角动量的内在形式.固体中体现自旋特征的集体电子行为如拓扑绝缘体等是当前凝聚态物理领域关注的焦点,是基态行为.激子作为电子空穴对的激发态且寿命很短,可复合发光,它是否能体现自旋极化主导的行为?对此人们的认识远不如针对基态的电子.激子磁极化子(exciton magnetic polaron,EMP)是由磁性半导体微结构中铁磁自旋耦合态与自由激子相互作用形成的复合元激发,但其研究很有限.本文概述了我们在稀磁半导体微纳米结构中的EMP及其发光动态学光谱、自旋极化激子凝聚态的形成方面取得的一些进展,展望了未来可能在自旋光电子器件、磁控激光、光致磁性等量子技术方面的潜在应用.

摘要： 针对DFB激光器驱动电流随时间变化存在漂移和不稳定的问题,提出了基于遗传算法的DFB激光器驱动系统.该激光器驱动电源采用运算放大器深度负反馈原理来提高系统稳定性,通过引入遗传算法来消除实际驱动电流值与理论值之间的微小差异,并利用该驱动电源对中心波长为1563.09 nm的DFB激光器进行了驱动测试.结果表明,该系统的驱动电流范围为40～80 mA,电流的波动最大值为0.62μA,电流稳定度为0.0155％,能够实现高精度和宽范围的控制效果.

摘要： Cu2 ZnSnS4 thin films with different Cd compositions were prepared using sputtering-sulfu-ration method. The best device with efficiency as high as 10. 65% was achieved. The scanning elec-tron microscope, temperature dependent photoluminescence, excitation power dependent photolumi-nescence were employed to character the materials and the capacitance-voltage and current-voltage characteristics of the solar cells were studied. It is revealed that the photoluminescence of Cd doped Cu2 ZnSnS4 is dominated by donor-acceptor pairs, with carriers showing strong localization. Cd incor-poration is found to be beneficial in removing deep defects and reduce the energy shift between the emission peak and absorption edge, resulting in the reduction of the open circuit voltage loss of the solar cell device. These findings are helpful to make further improvement in device efficiency.%利用溅射-硫化法制备了一系列不同Cd含量掺杂的铜锌锡硫薄膜材料,并获得了转换效率最高达10.65%的薄膜太阳能电池.利用扫描电子显微镜、变温光致发光谱、变激发密度发光光谱对材料进行了表征,分析了电池器件的电容-电压、电流-电压特性.材料的发光峰峰值显示出反常的温度依赖性,载流子表现出强烈的局域化特征.Cd的适当掺入可以抑制较深缺陷的形成并减小发光峰值和带隙值之间的能量差,从而减小了器件开路电压的损失,有利于器件效率的提升.

摘要： 本文用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性,结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直流和脉冲情况下都发生蓝移;两种发光二极管的功率在直流情况下会发生饱和,并随电流的进一步增加而急剧减小.以上现象有可能是由于热效应和量子阱中的压电效应引起的.

摘要： 稀土掺杂的氟氧化物微晶玻璃是由掺稀土的氟化物微晶和氧化物玻璃基质组成的一种复相材料,由于稀土离子具有丰富的能级,这种微晶玻璃可以产生从真空紫外到红外的荧光辐射.利用高温固相法制备掺Tm3+氟氧化物玻璃前驱体，之后整体析晶制备掺Tm3+氟氧化物微晶玻璃，选择配比为(45-x)SiO2-5Al2O3-40PbF2-lOCdF2-xTm2O3(x=l，2，3，5)(mol%)的体系进行研究。通过改变掺杂Tm3+浓度和热处理温度制备出具有浓度梯度和温度梯度的微晶玻璃样品，探索微晶结构对荧光的调制。上述结果表明，随着掺Tm3+浓度增加，存在微晶结构从立方相到四方相的相变过程。用687nm氙灯激发测量了所有样品的发射光谱。XRD未劈裂组样品发射光谱在750-850啪之间只有800nm发光并略有劈裂，说明在四方度c/a近似为√2的四方相结构和立方相结构的氟化铅微晶中Tm3+只有3H4→3H6的跃迁。XRD劈裂组样品不仅存在800nm发光及劈裂，还可明显观测到两个肩峰，说明在四方度c/a大于√2的畸变明显的四方相氟化铅微晶中不仅存在Tm3+的3H4→3H6的跃迁，还存在1G4→3F4的跃迁。可见氟化铅微晶结构的不同会导致其发光的不同，因此可以采用调控氟化铅微晶结构的方法对Tm3+的发光光谱进行调控。

摘要： 当液体中存在超声波且声压幅度超过某一闽值时，液体中会产生大量的气泡，这就是声空化。声空化产生的气泡以声场频率为基频进行非线性的膨胀与收缩。当声压进一步增大，气泡塌缩加剧，气泡内发生复杂的物理化学变化并发光，这种现象称为声致发光。本文实验研究了多泡声致发光(MBSL)的连续光谱和原子特征光谱对工作液体及其空气含量和稀有气体含量的相关性.同时还研究了表面活性剂对MBSL的影响.工作液体采用了氢氧化钠水溶液,稀有气体为氩气,表面活性剂是十二烷基磺酸钠(SDS).结果显示,氢氧化钠水溶液的浓度越高,溶入的氩气越多,则总光谱越强、钠原子的特征谱峰越明显;相反,溶液中的空气含气量越高,则钠原子的特征谱峰强度越低.SDS会显著抑制MBSL,使得总光谱强度降低.

摘要： 近来，Suslick等人在硫酸溶液中成功的实现了单泡声致发光，发现其亮度可以达到水中声致发光的2700倍，并且在其光谱中发现了氢原子的谱线。人们还发现硫酸溶液中的单泡声致发光有倍周期发光现象，且其内部的压力在3700个大气压以上。但是硫酸中的气泡不像水中的一样，容易稳定地悬浮在一个固定的位置上，通常是会围绕某个位置高速抖动，被称为“运动的(Moving)单泡声致发光”。本文实现了硫酸中的稳定的单泡声致发光，进而研究了其气泡的半径与声压的关系。本实验在硫酸溶液中实现了稳定悬浮的单泡声致发光,并通过实验测定和数值模拟得到了其稳定悬浮的参数空间。在硫酸溶液中的单泡声致发光比水中的亮度高,气泡的位置稳定性比水中的低,气泡的平衡半径比水中的大,但最大半径和水中的无明显差异,体积压缩比Rm/Ro基本稳定在4倍左右,没有水中的随声压增大而增大的变化趋势。总的来说硫酸溶液中声致发光的气泡在形状演化方面的表现与水中的声致发光气泡是明显不同的,平衡半径的增大代表着气泡内分子数的增多,这与其比水中的气泡明亮有着直接的关系,下一步将通过研究其发光光谱的时间相关性等方法来继续研究声致发光的发光机理。

摘要： 植物生长与光合作用密切相关,根据植物学家研究,植物生长到一定阶段后,光源的发光光谱开始对其生长发育起作用.蓝紫光和长波紫外光主要促进植物形成色素,并直接影响植物对磷、微量金属元素的吸收及维生素D、角质层的形成等;蓝光促进光合作用的光能;紫外光(＜350nm)对植物生长有破坏作用;绿光和黄光则抑制叶绿体的活动,使光合作用下降;橙红光是大大增强植物光合作用的光能,有利植物生长.因此,尽可能将其他波长光谱转换为蓝光和橙红光,尤其是橙红光对于促进植物生长、早熟和增产起重要作用.对于我国日照时间长、干旱、冬季长的北方和西北地区,发展农用转光农膜具有相当好的经济和社会效益.在农膜制造时,添加0.3％左右的转光粉,制成功能转光农膜,用该农膜覆盖大棚作物,能吸收太阳光中对植物生长发育有破坏作用的绿光和黄光以及紫外光并将其转换成植物光合作用所需的橙红光和蓝光,尤其是橙红光,不仅可提高棚温、增强植物的光合作用,促进植株生长发育和养分吸收,还可以改善作物品质,能明显提高植物的产量和质量,具有很好的调温效应和生物效应,是一种没有污染而十分有效的"光肥".

摘要： 从青岛近海海域分离纯化到一株海洋发光细菌XB6,对其发光性能进行了初步的分析,确定该菌株的发光光谱,在波长470nm处表现出最大发光强度;初步确定了该菌株的优化培养基组成,通过对发光细菌的培养条件的分析表明,在优化的液体培养基中25°C培养4h的发酵液发光强度即达到较高值,培养8h达到最高峰,且稳定的发光时间可持续到18h.由重金属抑制发光的实验结果可知,Zn、Cu、Pb等对发光细菌发光抑制率与其自身的浓度在一定的范围内呈正相关关系,而Ag对发光细菌发光性能的影响不大.这一现象使得利用发光细菌XB6进行Zn、Cu和Pb等重金属污染物在环境中含量的检测成为可能.

摘要： 利用时间延迟光谱技术测量了多孔硅的发光光谱.实验结果表明，多孔硅的发光是一个复杂的动力学发光驰豫过程；时间延迟光谱测量技术在研究复杂动力学发光过程方面比稳态光谱测量方法更有效.

摘要： 为解析放电等离子体现象,以低温等离子放电管作为研究对象,在常压下用组合式多功能光栅光谱仪对放电光进行测量,经计算机处理,可得到放电光的近紫外光谱,通过检测放电光谱,可察知各种粒子乃至电子的能量,从而可对放电管作出评价.

摘要： 制备了基于聚合物材料PPEV的双功能显示器件，该器件可以实现电致发光和电致变色两种功能模式的显示。器件由两层聚合物层组成，一层是电致变色聚合物层，另一层是电致发光聚合物层，同两个电极构成三明治结构，两个聚合物层分别混有固态电解质以实现电化学掺杂过程。器件在正向偏压下表现电致发光性能，在反向偏压下器件不发光但表现电致变色性能。测试了器件的I-V特性曲线，PPEV在电致发光模式中的光谱特性以及PEDOT：PSS电致变色相关的参数。通过改变不同电解质配比浓度，提高了器件的反应速度。

摘要： 制备了基于聚合物材料PPEV的双功能显示器件，该器件可以实现电致发光和电致变色两种功能模式的显示。器件由两层聚合物层组成，一层是电致变色聚合物层，另一层是电致发光聚合物层，同两个电极构成三明治结构，两个聚合物层分别混有固态电解质以实现电化学掺杂过程。器件在正向偏压下表现电致发光性能，在反向偏压下器件不发光但表现电致变色性能。测试了器件的I-V特性曲线，PPEV在电致发光模式中的光谱特性以及PEDOT：PSS电致变色相关的参数。通过改变不同电解质配比浓度，提高了器件的反应速度。

摘要： 本发明公开一种磁光光致发光光调制反射和光调制透射光谱联合测试系统。该系统包括宽波段红外光源和傅立叶变换部件、具有红外光学窗口的低温强磁场系统、用于宽波段光入射和收集的反射/透射光路子模块、泵浦/调制两用的交流输出激光器及其引导光路、计算机控制的多功能光谱测试切换部件、光谱信号探测与解调模块、以及控制系统运行的计算机。本发明能够针对半导体材料的同一特定光斑位置实现磁光光致发光、光调制反射和光调制透射的联合测量，形成材料不同磁场光谱特性的可靠比对。本发明具有全面、无损和高灵敏优点，非常适用于半导体光学性质、电子结构和磁效应特性的光谱学检测。

摘要： 本发明公开一种磁光光致发光光调制反射和光调制透射光谱联合测试系统。该系统包括宽波段红外光源和傅立叶变换部件、具有红外光学窗口的低温强磁场系统、用于宽波段光入射和收集的反射/透射光路子模块、泵浦/调制两用的交流输出激光器及其引导光路、计算机控制的多功能光谱测试切换部件、光谱信号探测与解调模块、以及控制系统运行的计算机。本发明能够针对半导体材料的同一特定光斑位置实现磁光光致发光、光调制反射和光调制透射的联合测量，形成材料不同磁场光谱特性的可靠比对。本发明具有全面、无损和高灵敏优点，非常适用于半导体光学性质、电子结构和磁效应特性的光谱学检测。

摘要： 本实用新型属于机械测控技术领域，涉及一种荧光分光光度计/光谱仪的外接激发光光源支架，包括L型的固定架和用来旋转固定外接光源光纤的固定板，固定架的固定边上分别开设两个连接卡孔，固定板固定安装在固定架的一个固定边上，固定板与固定架所围成的区域内安装比色皿槽固定架，比色皿槽固定架上开设放置比色皿的比色皿槽，比色皿槽与外接光源光纤相对的位置开设通光孔，与通光孔相邻一侧且正对固定架另一个固定板的比色皿槽壁上开设出光孔，出光孔所在比色皿槽壁与通光孔所在比色皿槽壁呈90°，解决了现有的荧光分光光度计或者光谱仪在应用和研究过程中用到的激发光波段不在原有仪器光源激发光波段，需要外接其他激发光光源的问题。

摘要： 一种深紫外激光光致发光光谱仪，包括：一全固态深紫外激光器；一真空样品室与全固态深紫外激光器连接；一真空单色仪与真空样品室连接；一第一真空维持系统与真空样品室连接；一第二真空维持系统与真空单色仪连接；一低温系统和控温装置与真空样品室通过法兰连接；一样品架三维调整装置与真空样品室连接；一稳态发射谱探测系统与真空单色仪连接；一时间分辨光谱探测系统与真空单色仪连接；一真空泄漏安全系统的第一、第二控制端与第一真空维持系统连接，第三、第四控制端与第二真空维持系统连接，第五控制端与低温系统和控温装置连接；一计算机控制装置用于控制真空泄漏安全系统、真空单色仪、低温系统和控温装置、样品架三维调整装置、稳态发射谱探测系统和时间分辨光谱探测系统。

摘要： 一种深紫外激光光致发光光谱仪，包括：一全固态深紫外激光器；一真空样品室与全固态深紫外激光器连接；一真空单色仪与真空样品室连接；一第一真空维持系统与真空样品室连接；一第二真空维持系统与真空单色仪连接；一低温系统和控温装置与真空样品室通过法兰连接；一样品架三维调整装置与真空样品室连接；一稳态发射谱探测系统与真空单色仪连接；一时间分辨光谱探测系统与真空单色仪连接；一真空泄漏安全系统的第一、第二控制端与第一真空维持系统连接，第三、第四控制端与第二真空维持系统连接，第五控制端与低温系统和控温装置连接；一计算机控制装置用于控制真空泄漏安全系统、真空单色仪、低温系统和控温装置、样品架三维调整装置、稳态发射谱探测系统和时间分辨光谱探测系统。

摘要： 本发明记载了一种专用光致发光光谱测量的CCD光谱仪，包括入射狭缝、准直镜、光栅、成像反射镜以及CCD探测器；在CCD探测器与成像反射镜之间设置有伸缩式陷光挡板，且陷光挡板为低反射率挡板。由于采用了上述技术，本发明通过在现有光谱仪的CCD探测器面前增加一个陷光用的陷光挡板，该陷光挡板的位置可以根据激发峰的波长进行位置调节以确保该激发峰被挡住，而仅通过发射峰。此时，可以对发射峰进行重新曝光，以便增加曝光时间，由于激发峰被遮挡使得曝光时间可以加长，从而形成更高的饱和度，并增加光谱的测量质量，此时信号的信噪比远远高于有激发峰一同存在情况下的发射谱光谱信号，从而达到了准确测量低量子效率物质等目的。

摘要： 本发明提供了一种基于紫外光激发的全光谱光致发光光谱检测系统，所述系统包括探测器、影像校正光谱仪、入射狭缝、汇聚透镜、瑞利散射滤光片、聚焦物镜、样品以及激光器，所述的系统还包括设置在瑞利散射滤光片与聚焦物镜之间的硅片。所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。在本发明的优选实施方式中，第一部件为圆形环，第二部件沿所述的圆形环的径向延伸，且第二部件的两端与圆形环相接，第三部件设置在第二部件的中心。通过由采用特殊工艺制成的硅片替换现有光致发光光谱检测系统中的二向色镜，实现了荧光的光谱范围不受任何限制，全波段通光，克服了现有技术中的光致发光光谱检测系统无法检测更宽波段的技术问题。

摘要： 本发明公开一种用于检测物质的拉曼和光致发光光谱并借助物质的拉曼和/或光致发光光谱特性鉴定物质的装置和方法。该装置包括具有激光源的可替换激光源集合体、准直系统、用于接收可替换激光源集合体同时确保装置的操作而无须进一步调整准直系统或激光源的定位的插口、滤波系统、被优化以提供足以同时获得物质的拉曼和光致发光光谱的光谱分辨率和光谱范围的光分散系统、检测器和至少一个用于处理电子信号的控制器。公开且要求保护的方法用于同时获得物质的拉曼和光致发光光谱、将光谱分成基于拉曼内容和光致发光内容的分量、分析拉曼和光致发光内容以及使用一组光谱处理方法鉴定物质。

摘要： 本实用新型记载了一种专用光致发光光谱测量的CCD光谱仪，包括入射狭缝、准直镜、光栅、成像反射镜以及CCD探测器；在CCD探测器与成像反射镜之间设置有伸缩式陷光挡板，且陷光挡板为低反射率挡板。由于采用了上述技术，本实用新型通过在现有光谱仪的CCD探测器面前增加一个陷光用的陷光挡板，该陷光挡板的位置可以根据激发峰的波长进行位置调节以确保该激发峰被挡住，而仅通过发射峰。此时，可以对发射峰进行重新曝光，以便增加曝光时间，由于激发峰被遮挡使得曝光时间可以加长，从而形成更高的饱和度，并增加光谱的测量质量，此时信号的信噪比远远高于有激发峰一同存在情况下的发射谱光谱信号，从而达到了准确测量低量子效率物质等目的。

摘要： 本实用新型提供了一种基于紫外光激发的全光谱光致发光光谱检测系统，所述系统包括探测器、影像校正光谱仪、入射狭缝、汇聚透镜、瑞利散射滤光片、聚焦物镜、样品以及激光器，所述的系统还包括设置在瑞利散射滤光片与聚焦物镜之间的硅片。所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。在本实用新型的优选实施方式中，第一部件为圆形环，第二部件沿所述的圆形环的径向延伸，且第二部件的两端与圆形环相接，第三部件设置在第二部件的中心。通过由采用特殊工艺制成的硅片替换现有光致发光光谱检测系统中的二向色镜，实现了荧光的光谱范围不受任何限制，全波段通光，克服了现有技术中的光致发光光谱检测系统无法检测更宽波段的技术问题。