氩气

摘要： 目的探讨氩气源低温常压等离子体(nonthermal argonatmos phericpressure plasma,NTAPP)射流处理不同时间对牙本质⁃自酸蚀粘接剂粘接界面粘接强度及牙本质润湿性的影响。方法使用NTAPP发生装置(放电输入功率:9 W,氩气气体流量:5 L/min),分别处理5组(n=6)人牙本质试件(0、5、10、15、20 s)后,使用S3 Bond粘接剂处理牙面,制作微拉伸粘接试件并测量各组即刻粘接强度。同样参数、同样分组条件下处理牙本质面后测量牙本质表面接触角。结果随着NTAPP处理时间延长,牙本质即刻粘接强度呈显著上升趋势,以处理15 s组粘接强度最高(31.82±2.80)MPa。随着NTAPP处理时间延长,与阴性对照组牙本质表面接触角(75.57°±1.45°)相比,各实验组牙本质表面接触角均显著减小,以处理15 s组牙本质表面接触角(33.56°±2.14°)最低,湿润性最大。结论NTAPP处理可显著增加牙本质表面湿润性,提高与自酸蚀粘接剂粘接界面的粘接强度,这与处理时间相关。

摘要： 激光诱导击穿光谱(LIBS)以激光诱导微等离子体的原子发射为技术特征,在科研与工业领域正得到重视与蓬勃发展。作为环境气体的氩气对等离子体演化过程中粒子的碰撞过程有重要影响,决定着LIBS技术分析性能的发挥。利用光谱诊断技术深入研究LIBS技术条件下氩气的光谱特征,对于提升LIBS技术及其应用水平具有重要的意义。利用中阶梯光栅光谱仪记录时间序列光谱信息研究了瞬态Ar等离子体碰撞和衰减过程,包括等离子体演化过程中的辐射机制和等离子体电子数密度及温度的时间演化特征。结果表明,在激光与氩气相互作用的初始阶段,光谱主要由连续辐射组成,在0.6μs后,光谱开始主要由氩原子、离子的离散跃迁辐射谱线组成。氩原子线和离子线的演化周期不同,在0~1.0μs延迟时间内离子线占主导,在1.0~30μs原子线占主导。利用Stark展宽,Saha-Boltzmann曲线方程对60,80和100 mJ脉冲激光能量激发下的等离子体的电子数密度和温度进行了计算,等离子体电子数密度在0.2~2.0μs延迟时间内快速衰减,之后在较长的延迟时间内缓慢下降,大约在4.0μs达到同一个数量级;等离子体温度(80 mJ)从初始0.2μs时的18000 K迅速下降到13000 K(2.0μs),在5.0μs后缓慢下降到12000 K。为进一步检验和优化激光脉冲用于氩气的分析性能,对氩的不同特征谱线信噪比随时间演化的特征进行了研究,结果表明,氩原子线在2.0~6.0μs的延迟窗口具有较高的信噪比,氩离子线则在0.1~1.0μs延迟窗口具有较高的信噪比。

摘要： 介绍了氩气的纯化工艺及技术研究进展。重点阐述吸附、催化及吸气剂技术在制备高纯及超纯氩中的作用,并对瓶装高纯及超纯氩气的充装进行了分析与探讨。

摘要： 介质阻挡放电(DBD)是产生低温等离子体的一种常见放电方式。本文建立了大气压下氩气DBD的一维PIC/MCC模型,采用了粒子自适应权重(APM)以及基于OpenMPI的并行计算策略,考虑了带电粒子在介质板上的积累以及复合反应。本文针对频率500 kHz,幅值电压3 kV正弦电压激励下放电的时空演化特性进行仿真研究,得到了其汤森放电、辉光放电等阶段中的放电特征,研究了电压幅值、气隙间距、介质板介电常数等参数对放电特性的影响。

摘要： 红外导引头制冷供气测试系统用于某武器系统红外导引头制冷时间测试,验证一定压力下高压氩气对导引头的制冷效果。本文介绍了该系统的组成和结构设计,主要采用高压氩气作为制冷气源,通过高低温试验系统控制并模拟导引头实际工作温度,通过数据采集系统完成制冷时间、压力、温度测试和成像显示。结合系统在工程应用中常见问题,提出了结构改进方案,通过多年的生产应用,验证了该系统能够满足某型武器系统红外导引头的批量测试需求。

摘要： 中空玻璃间隔层最佳厚度是多少呢?本文对不同间隔层厚度、放置角度时,空气、氩气、Low-E玻璃、三玻中空、真空及复合真空对中空玻璃K值的影响进行了研究,并给出了间隔层最佳厚度建议。

摘要： 本文主要探讨分析氩气的质量,不同金属材料样品被激发面的磨光处理,光谱仪标准化质量,以及铸造粉尘对OBLF型光谱仪检测金属材料化学成分准确性的影响因素。经过对OBLF型光谱仪多年的实际操作经验及多次实验研究,建议使用高纯度氩气;不同金属材料样品被激发面的磨样处理,必须根据不同的金属材料和不同的热处理工艺,进行不同的磨样处理;光谱仪标准化的质量,建议操作者对设备的状态是否稳定时刻保持高度警惕,根据光谱仪状态稳定情况随时进行标准化;铸造粉尘的影响,建议对光谱仪室进行防尘处理。这样才能确保光谱仪始终保持最佳的工作状态,才能保持准确的分析结果。

摘要： 目的:比较吸入氩气(inhaled argon,iAr)和吸入氢气(inhaled hydrogen,iH_(2))对小鼠急性脑缺血再灌注(cerebral ischemia/reperfusion,CIR)损伤后神经功能改善的作用。方法:选取48只健康成年SPF级雄性ICR小鼠,将其随机分为假手术组(Sham组)、局灶性大脑中动脉栓塞(transient middle cerebral artery occlusion,tMCAO)模型组(tMCAO组)、iAr治疗组(tMCAO-iAr组)、iH_(2)治疗组(tMCAO-iH_(2)组)。于再灌注24 h后行神经功能评分,采用2,3,5-氯化三苯基四氮唑(2,3,5-triphenyltetrazolium chloride,TTC)染色观察急性脑梗死损伤程度,同时监测术后体质量和存活率的变化,评估两种气体的神经保护疗效差异。结果:与tMCAO组相比,iAr和iH_(2)治疗均可明显改善神经功能(P<0.01),脑梗死体积、体质量损失均明显减少(均P<0.001),存活率明显提高;组间相比,tMCAO-iAr组在神经功能评分(P<0.01)和皮层梗死体积两个指标上更优于tMCAO-iH_(2)组。结论:再灌注后尽早iAr和iH_(2)对CIR损伤都能起到一定的保护作用,且iAr对神经功能改善和皮层脑区的保护作用更好。

摘要： 在保证钢瓶处理质量的前提下,如何高效率的进行氦气钢瓶抽真空置换处理,对氦气充装企业来说非常重要。通过实验得知,同一排氦气钢瓶的处理时间主要取决于罗茨泵的启动时间,罗茨泵启动后钢瓶内无论是氦气介质还是氮气介质,抽到相同的真空度数值所用时间相差不大。螺杆泵启动后,通入一定量氩气可以大大缩短氦气钢瓶抽真空时间,提高氦气钢瓶的处理效率,同时对钢瓶处理质量不会造成影响。

摘要： 为了在提高放电等离子体活性的同时保持较为稳定的放电,文中利用纳秒脉冲电源驱动大气压氩气中针—水结构气液放电,研究了不同脉冲电压和频率下的放电电学特性、发光图像和发射光谱强度,并讨论了相关参数对放电特性的影响原因。结果表明:在氩气纳秒脉冲气液放电中,脉冲电压和频率不会对放电模式产生影响。随着脉冲电压的增大,上升沿电流、下降沿电流和平均功率均增大,且上升沿电流总是大于下降沿电流;当脉冲频率增大时,上升沿电流和平均功率增大,下降沿电流逐渐减小。等离子体特性方面,在不同脉冲电压和频率下均测到了较强的Ar(4p→4s)、H(656 nm)和O(777 nm)谱线和较弱的H(486 nm)谱线,并且4种激发态活性粒子的发射光谱强度均随着脉冲电压和频率的增大而增大。

摘要： 本文利用一氧化二氮具有正生成焓以及只有氮氧元素的特点,以及氩气分子量高于空气且比热低于空气的特点,设计了利用基于氢气和一氧化二氮化学能并利用氩气补偿分子量以及比热的中、低、无污染空气配方,定压绝热完全反应时分别可以实现总温300至1372K的合成纯净空气、1372至2506K的低污染空气和2506至3173K的中污染空气,可保证定压绝热完全反应产物气体的氧气摩尔分数、氧气质量分数、平均分子量与纯净空气一致且平均比热比最大偏差不超过0.05,产物中水摩尔分数为0％至42.4％,产物中氩气的最大摩尔分数为36.6％.本文最后对得到的气体的气动和热物理物性进行了初步分析并对基于此配方的地面试验设备的设计进行了展望.

摘要： 从ICP光谱技术诞生开始就一直为解决氩气耗量大的问题进行不懈的努力.人们首先想到用氮气及空气等分子气体(相对于单原子的惰性气体)，ICP光谱技术创始人之一的英国Greenfild就采用氮气作等离子体冷却气，并有几种商品仪器生产，是在欧洲及非洲流行的第一代商品ICP光谱仪，由于其大直径炬管(28-32mm)需用大量氮气冷却炬管外，还需要10-20L/min的氢气作为等离子体气(中管气流)，在仅消耗12-18L/min氢气得法塞尔炬管的竞争下不久就退出市场.已经试验过的分子气体有氮气，氧气，空气，二氧化碳等，用氮气代替氢气形成等离子体是研究最多，也是被认为最有希望的一种分子气体。在用分子气体替代氢气的许多试验表明，可以成功地形成稳定的等离子体焰炬，并可激发很多元素，作为无机元素分析工具是可行的.

摘要： 基于GCMC原理,采用分子模拟方法研究了50K、77K和100K温度下,氮气、氩气、氧气在ZSM-5分子筛上的等温吸附变化规律.结果表明:三种气体的吸附等温线在压力较低的区间,曲线较陡峭,吸附量随压力的增高而迅速增加;压力较高的区间,曲线较平缓,吸附量随压力的增高而缓慢增加,出现吸附饱和现象;吸附量随温度的升高而减小.为了验证GCMC方法的可靠性,本课题进行了试验与模拟吸附结果的比较.研究发现,三种气体在ZSM-5分子筛上的吸附符合Langmuir型吸附,气体吸附的模拟与试验有10％左右的偏差.通过加入逸度系数、结晶度的修正,模拟与试验结果之间的偏差有所减小.

摘要： 针对双丝旁路耦合电弧GMAW主路、旁路熔滴过渡特性,采用静力平衡理论,分析了主路、旁路熔滴表面所受到的作用力.发现双丝旁路耦合电弧GMAW焊接过程中,通过引入旁路电弧会引起主路电弧弧根面积的扩展,从而促进主路熔滴向熔池过渡;在采用纯氩气保护时,由于旁路焊炬为冷阴极并选择了正极性接法即焊丝接负极,旁路电弧会自动爬升到焊丝固态区域的氧化膜上燃烧,导致电磁收缩力在旁路熔滴过渡过程中不起作用,旁路熔滴主要依靠重力克服表面张力向熔池过渡,因此旁路熔滴体积较大并且难以过渡.针对这一问题,提出向保护气体中添加氧元素来改善旁路熔滴过渡特性并进行了焊接试验.当保护气体中的氧元素在旁路熔滴表面形成氧化膜后,旁路电弧会在旁路熔滴表面的氧化膜上稳定燃烧,此时电磁收缩力会作用在焊丝熔化区域并促进熔滴向熔池过渡.试验结果也表明:采用80％氩气+20％二氧化碳作为旁路保护气体时,焊接过程中旁路熔滴体积明显减小并且熔滴过渡频率明显加快,与理论分析一致.

摘要： 在纯氩气的介质阻挡放电(DBD)中加入适量的水蒸气,可以有效地增加放电产生的活性粒子,促进其材料表面改性等效果.本文在纯氩气中加入不同比例的水蒸气来产生Ar/H2O DBD放电,利用这种形式的放电对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜进行表面改性,研究了Ar/H2O DBD对改性效果的影响.通过水接触角和表面能的测量、扫描电子显微镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)等手段比较了等离子体处理前后的表面特性,研究了水蒸气含量以及处理时间对表面特性的影响.结果表明:处理后水接触角减小,表面能增加,表面粗糙增加.当水蒸气含量在0.1％时,改性效果达到最强,当水蒸气含量小于0.1％时,水蒸气含量的增加对改性效果具有促进作用,当水蒸气含量大于0.1％时,水蒸气含量的增加对改性效果具有抑制作用.

摘要： 当液体中存在超声波且声压幅度超过某一闽值时，液体中会产生大量的气泡，这就是声空化。声空化产生的气泡以声场频率为基频进行非线性的膨胀与收缩。当声压进一步增大，气泡塌缩加剧，气泡内发生复杂的物理化学变化并发光，这种现象称为声致发光。本文实验研究了多泡声致发光(MBSL)的连续光谱和原子特征光谱对工作液体及其空气含量和稀有气体含量的相关性.同时还研究了表面活性剂对MBSL的影响.工作液体采用了氢氧化钠水溶液,稀有气体为氩气,表面活性剂是十二烷基磺酸钠(SDS).结果显示,氢氧化钠水溶液的浓度越高,溶入的氩气越多,则总光谱越强、钠原子的特征谱峰越明显;相反,溶液中的空气含气量越高,则钠原子的特征谱峰强度越低.SDS会显著抑制MBSL,使得总光谱强度降低.

摘要： 利用分子束技术实现气体高速流动，并保证气体总流量不大。可实现高马赫数气流。气流击穿电压随速度增加持续升高，击穿通道气压和温度变化(密度变化)是击穿电压变化主要原因。气流击穿电压变化呈明显的阶段性，流场状态改变是击穿特性阶段性的起源。

摘要： 本论文研究了在IGZO成膜过程中Ar/O2流量比对氧化物半导体薄膜晶体管性能的影响.并测试了器件的转移特性曲线及偏压应力稳定性.研究结果表明:Ar/O2流量比将影响IGZO膜层的特性,氧流量较小会使器件呈现导体特性.制备了具有良好特性的a-IGZO TFT器件,其迁移率为21.2cm2/V.s、Vth为1V、亚阈值摆幅仅为0.12V/dec、开关比为5.0×107,并且器件具有良好的偏压稳定性.

摘要： 本论文研究了在IGZO成膜过程中Ar/O2流量比对氧化物半导体薄膜晶体管性能的影响.并测试了器件的转移特性曲线及偏压应力稳定性.研究结果表明:Ar/O2流量比将影响IGZO膜层的特性,氧流量较小会使器件呈现导体特性.制备了具有良好特性的a-IGZO TFT器件,其迁移率为21.2cm2/V.s、Vth为1V、亚阈值摆幅仅为0.12V/dec、开关比为5.0×107,并且器件具有良好的偏压稳定性.

摘要： 本论文研究了在IGZO成膜过程中Ar/O2流量比对氧化物半导体薄膜晶体管性能的影响.并测试了器件的转移特性曲线及偏压应力稳定性.研究结果表明:Ar/O2流量比将影响IGZO膜层的特性,氧流量较小会使器件呈现导体特性.制备了具有良好特性的a-IGZO TFT器件,其迁移率为21.2cm2/V.s、Vth为1V、亚阈值摆幅仅为0.12V/dec、开关比为5.0×107,并且器件具有良好的偏压稳定性.

摘要： 本发明公开了一种氩气电极陶瓷体、环喷式氩气电极及其制造方法，其中，陶瓷体上设有呈十字型且相互连通的第一孔道和第二孔道，所述第二孔道贯穿所述陶瓷体。本发明环喷式氩气电极中，陶瓷体与金属体分开加工，既保证各自的机械强度，又发挥各自的加工工艺特点，具有制作工艺简单、装配工艺简单、成品率高、节约时间和物料成本的优势。

摘要： 本发明公开了一种回收液氩贮槽中蒸发氩气的方法、装置以及适合的低温氩气压缩机。本发明的方法包含提供一液氩贮槽和一氩气冷凝装置，所述液氩贮槽具有5～10kPag的气体压力以及与氩气冷凝装置相连的氩回收管路，将液氩贮槽中的蒸发氩气经设置在氩回收管路上的低温氩气压缩机压缩，得到压力大于或等于50kPag的增压后氩气，将所述增压后氩气输入氩气冷凝装置，冷凝后获得液氩。还包含设置三个压力指示控制器，变频控制器，旁通管路和放空管路来调控液氩贮槽中的压力。

摘要： 本发明提供了一种腹腔镜手术用球型氩气刀头、球型氩气刀及系统，涉及医疗器械技术领域，包括接触部、过渡部和外凸部，过渡部为柱型，接触部为球型，接触部、过渡部和外凸部沿长度方向同轴设置且依次连接。本申请可针对腹腔镜手术中的出血进行止血，且产生的烟雾少，从而降低对手术视野的影响。

摘要： 本发明公开了一种氩气电极陶瓷体、环喷式氩气电极及其制造方法，其中，陶瓷体上设有呈十字型且相互连通的第一孔道和第二孔道，所述第二孔道贯穿所述陶瓷体。本发明环喷式氩气电极中，陶瓷体与金属体分开加工，既保证各自的机械强度，又发挥各自的加工工艺特点，具有制作工艺简单、装配工艺简单、成品率高、节约时间和物料成本的优势。

摘要： 本实用新型提供了一种氩气电极，包括陶瓷头、金属针、塑料管和支架；所述金属针的一端固定在所述陶瓷头上；所述金属针的另一端固定在支架的一端。本实用新型在陶瓷头上开有专门的金属针焊接口，可以将金属针与陶瓷头固定在一起，同时金属针又跟支架固定在一起，这样就保证了陶瓷头的安装牢固性，不会因为外力的作用而掉落。同时本实用新型还取消了陶瓷头上的倒扣，安装时方便简洁。而且，陶瓷头开口也可以由原来的单一缺口式改为各种可以定制的样式，可以更好的将电离气体作用在需要的部位，提高了手术效率，从而有效的解决了之前的侧喷型氩气电极的结构。

摘要： 本实用新型提供了一种氩气电极，包括半球状的陶瓷头和焊接在陶瓷头底部的金属棒；所述陶瓷头底部设置有盲孔；所述金属棒的一端焊接在盲孔中；所述金属棒焊接在盲孔中的一端具有弯曲状；所述盲孔中还填充有焊接后得到的焊料。本实用新型将金属棒头部做成弯曲状，陶瓷烧结为半球形状，其内部开有条状盲孔。陶瓷头和金属棒都单独成型后再将金属棒的弯曲头部插入陶瓷头的条形孔内进行钎焊成型。弯曲状的头部可以保证金属棒在受到拉力作用下不会脱落，空腔又可以保证有充足的空间来填充焊剂。而特殊形状的金属棒，既可以保证金属棒不会与陶瓷头之间滑动，又可以保证有足够的空间来容纳焊剂，有效的解决了之前的环喷型氩气电极的结构焊接不牢固的问题。

摘要： 本实用新型涉及高频电刀技术领域，具体涉及一种氩气高频电刀的氩气电极及氩气高频电刀。本实用新型公开了一种氩气高频电刀的氩气电极，其包括相互连接的插接头和输气管，所述插接头包括插头组件、设置于所述插头组件内的气插针和连接管，所述连接管具有连接通道，所述连接通道延伸至所述连接管两端形成开口，所述气插针和所述输气管分别伸入所述开口，以使所述连接通道连通所述气插针和所述输气管，所述连接管包括一对相互拼接的壳体，所述输气管与所述连接通道间通过连接件连接，以阻止所述输气管从所述连接通道中脱出。其可以使得输气管与插接头之间的连接较为稳定，且可使输气管与连接管之间保持较好的密封效果。

摘要： 本实用新型公开了种氩气尾气回收用氩气脱氧装置，包括脱氧组件，所述脱氧组件包括密封箱、第一电机、偏心轮、U形杆、移动块、连接杆、第一弹簧、定位杆、移动板、第二弹簧。本实用新型通过电阻加热板快速加热铜过滤板，第一电机带动偏心轮转动，偏心轮通过连接杆带动移动块在U形杆上滑动，移动块通过柔性钢绳带动移动板在定位杆上滑动，第二电机持续工作带动风扇循环左右移动并转动，使铜过滤板加热后的温度均匀扩散，密封箱上端的温度会初步加热氩气，风扇会将氩气往下吹动，氩气穿过铜过滤板，氩气内部的空气会和加热的铜过滤板进行化学反应，氧气会被去除，氩气从出料管排出，提高了密封箱内的温度扩散均匀性及脱氧的速度。

摘要： 本实用新型公开了一种用于氩气尾气回收的氩气提纯装置，包括底板和缓冲机构，所述缓冲机构包括连接箱、连接板、压缩机、竖板、定位杆和弹簧；所述底板的顶部固定连接有连接箱，所述连接箱内滑动连接有连接板，所述连接板的顶部固定连接有压缩机，所述压缩机的左侧连通并固定有进气管。本实用新型气体经过进气管进入到压缩机内，压缩机通过连接板带动竖板向下移动，竖板通过连接块带动柔性钢绳向下移动，柔性钢绳带动移动块在定位杆的外侧滑动对弹簧进行拉伸，从而起到了缓冲的效果，使得压缩机都具有缓冲的功能，降低压缩机在长时间运行的过程中产生的硬性振动力，不容易导致其内部的零件损坏。

摘要： 本实用新型公开了一种可增大氩气流速及节约氩气的单晶炉，包括：炉体，包括主室；副室位于炉体的一侧，副室连通主室；保温筒设置于主室内，包括依次设置的第一保温盖、第一保温筒和保温毡，第一保温盖位于保温毡靠近副室的一侧，第一保温盖设有通孔；第一保温盖在保温毡所在平面的正投影面积为M，通孔在保温毡所在平面的正投影面积为K，主室与第一保温盖平齐的位置的截面积为N，90％≤(M+K)/N≤100％。通过缩小第一保温盖与炉体之间的间隔，能够使大部分氩气经第一保温盖的通孔流入保温筒内部，从而使进入保温筒内部的氩气流量变大，有助于保护硅溶液和单晶硅不被氧化，还可以减少氩气用量，以降低成本。