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第四届全国发光学术会议

召开年：1986
召开地：上海
出版时间： 1986-09

主办单位：中国物理学会

会议文集：参加第四次全国发光学术会议论文选

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1.CdTe单晶生长及其性能的研究
- 黄锡珉;林革;景玉梅
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
2.用原子层沉积方法生长的ZnS∶Mn薄膜的交流电致发光
- 孟立建;吕安德;陶世文
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：用原子层沉积反应原理制备了较高亮度的ZnS∶Mn电致发光薄膜。测量了这种薄膜的亮度（B）－电压（V）特性以及ELPL光谱。研究了发光衰减与Mn浓度的关系。讨论了高Mn浓度下发光猝灭的原因。（本刊录）
3.新工艺制备的粉末ZnS∶MnDCEL材料
- 宣丽
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
4.Er*+*离子注入ZnSe MIS二极管的电致发光
- 田华;范希武;许少鸿
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：该文研究了在室温下经Er[*+*]离子注入ZnSe晶体的电致发光，首次报导了三价稀土离子在ZnSeMIS结二级管中的发光。阐明了Er[*+*]离子是在高场下通过过热电子直接碰撞激发的，根据分立中心是高场激发的有效发光中心，可望在这类器件中有较高的效率。（本刊录）
5.ZnSxSe*v1-x*单晶的霍尔迁移率
- 黄锡珉
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
6.ZnS∶HO*+*的激光选择激发
- 沈永荣
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
7.升华法生长CdS单晶
- 李维志;吕有明;范希武
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：该文用带有盛镉尾管的升华法生长了CdS单晶。文中选用较低的生长温度Ts=1050℃，温度梯度△T=5～10℃，尾管温度Tcd=520℃得到了生长方向为＜1010＞，其它诸晶面为（1010），（0001）和（1120）的六方晶系CdS单晶，测量了（0001）的位错密度约为2.5×10[**]／cm，在77K的光致发光光谱上呈现很强的激子发射谱带。（本刊录）
8.介电物质介面附近的电－声子相互作用
- 潘金声
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
9.ZnS∶Er*+*的发光和无辐射驰豫
- 赵天仁;许伟
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
- 硫化锌;
- 发光材料;
- 发射谱;
- 发光中心;
- 中心;
- 驰豫;
- 铒;
10.红外光对硫化锌中稀土离子发光的影响
- 秦伟平;孙维忠;黄世华
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
11.双层介电系统的Raman散射—ZnS／玻璃、ZnSe／GaAs样品的表面声子观测
- 周方策;金周哲;潘金声
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
12.MOCVD法生长的掺氮ZnSe的光电特性
- 范广涵
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：该文研究了MOCVD法ZnSe∶N单晶薄膜的生长掺杂条件，及其发射光谱，电学参数等光电特性随生长掺杂条件的变化。证实氮在ZnSe中形成激活能～110mev的浅受主能级。这是为获得P型硒化锌进行的一个尝试。（本刊录）
- 硒化物;
- 晶体生长;
- 单晶;
- 薄膜;
- 发射谱;
- 半导体材料;
- 光学性质;
- 氮;
- 锌化合物;
- 电性;
13.高密度激发Cds的微微秒研究
- 黄晶玉;戚继发;杨放
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
14.原料纯度对VPE ZnSe单晶薄膜发光和电学性能的影响
- 汤子康;范希武;李维志
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：该文叙述了原料纯度对ZnSe外延膜的发光和电学性能的影响。随原料纯度提高，ZnSe外延膜的电阻率增大，同时PL光谱中与自由激子发射有关的Es带不断增强。这就表明，在我们实验条件下，ZnSe外延层的电导载流子主要来自于原料中施主杂质的污染而不是本征施主，当衬底温度较低时，原料中施主杂质的污染要比衬底中Ga的自扩散重要得多。随着原料纯度的提高ZnSe外延膜电阻率增加正是由于原料中施主杂质的减少。（本刊录）
15.高密度激发下硫化镉的发光特征
- 刘宪平;鲍庆成;田乃良
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：该文在4．2K下研究了硫化镉单晶材料在激发光强10[**]～10[**]W／cm范围内的发射光谱，发现光强度提高到1．0×10[**]W／cm以后，发光在4910A[*°*]处出现了新的发光峰。对该峰的特性和产生机制进行了研究，提出了激子与中性施主束缚激子散射发光模型。此外，我们还研究了硫化镉中束缚激子发光和新的发光峰的偏振特性。（本刊录）
- 单晶;
- 发射谱;
- 硫化镉;
- 发光强度;
- 散射;
- 激子;
- 发光特性;
- 偏振;
16.交流电致发光薄膜矩阵屏
- 钟国柱
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
17.在熔融锌中退火对ZnSe晶体电学和发光性能的影响
- 张吉英;范希武
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
18.用ODLTS方法研究ZnSe晶体中热损伤能级
- 王寿寅;范希武
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：用ODLTS方法观测到在真空加热ZnSe晶体后新出现的EV＋0．30ev，EV＋0．72ev和EV＋0．33ev三个受主能级，同时在77K电致发光光谱上出现了5300R的绿带。以及5320A[*°*]的红带。文中研究了在真空中加热ZnSe晶体的ODLTS谱上新增加的受主能级的起因。提出了EV＋0．30ev和EV＋0．72ev深能级应分别归结为Cu—G中心和Cu—R中心。（本刊录）
19.用电子顺磁共振方法研究粉末发光材料
- 王敬柏;徐征
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
20.CaS∶Pr，Na的激光选择激发
- 黄世华;李文连
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
21.能量传递中激活剂发光与时间的关系
- 黄世华;楼立人
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
22.高Er*+*浓度掺杂的ZnS薄膜的ACEL特性
- 孟立建;钟国柱
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
- 硫化锌;
- 铒;
- 薄膜;
- 电致发光;
- 驰豫;
- 光谱分析;
23.ZnS ACELTF中不同Pr盐掺杂发光的特性讨论
- 宋航;钟国柱
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
24.不同激发密度FZnSe单晶膜中的近带边缘发射
- 马力;汤子康;范希武
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：繻→（hv，e-h）散射模式可以很好地解释了高激发密度下自由到束缚的发射与近带边缘发射的强度比随着激发密度的增加而增加的实验结果。发现在低激发密度时，ZnSe的近带边缘发射应归结为激子—载流子散射，而随着激发密度的提高过渡到激子－－激子散射。利用（E[*vK*][**]S[*v1*]E[*vk1*][*（本刊录）
25.单轴晶体中束缚激子间的色散作用
- 鲍庆成;戴仁崧;徐叙
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
- 色散;
- 激子;
- 单晶;
- 色散理论;
- 激光器;
26.Al在ZnSe中行为的研究
- 王吉丰;黄锡珉;张志舜
- 《第四届全国发光学术会议》 | 1986年
摘要：为研究在ZnSe单晶中Al杂质的行为，在700℃～900℃温度范围内，把Al热扩散到ZnSe晶片中，然后用霍尔测试，光致发光光谱及深能级结电容瞬态谱等方法研究了Al杂质。实验结果表明：载流子浓度随扩散温度的升高而增加，但其变化不大，这是由于在热扩散过程中产生的深能级引起的。（本刊录）
- 硒化物;
- 铝;
- 单晶;
- 光致发光;
- 载流子;
- 能级;
- 电阻率;
- 锌化合物;