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不同激发密度FZnSe单晶膜中的近带边缘发射

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繻→（hv，e-h）散射模式可以很好地解释了高激发密度下自由到束缚的发射与近带边缘发射的强度比随着激发密度的增加而增加的实验结果。发现在低激发密度时，ZnSe的近带边缘发射应归结为激子—载流子散射，而随着激发密度的提高过渡到激子－－激子散射。利用（E[*vK*][**]S[*v1*]E[*vk1*][*（本刊录）

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来源
《第四届全国发光学术会议》|1986年|1-11|共11页
会议地点上海
作者
马力; 汤子康; 范希武;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类极化与激子理论;
关键词
气体激光器; 单晶; 硒化物; 锌化合物; 半导体物理; 光致发光; 光谱分析; 发射谱; 激子＠;
入库时间 2022-08-17 10:54:59

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