升华法生长CdS单晶

摘要

该文用带有盛镉尾管的升华法生长了CdS单晶。文中选用较低的生长温度Ts=1050℃，温度梯度△T=5～10℃，尾管温度Tcd=520℃得到了生长方向为＜1010＞，其它诸晶面为（1010），（0001）和（1120）的六方晶系CdS单晶，测量了（0001）的位错密度约为2.5×10[**]／cm，在77K的光致发光光谱上呈现很强的激子发射谱带。（本刊录）