原料纯度对VPE ZnSe单晶薄膜发光和电学性能的影响

摘要

该文叙述了原料纯度对ZnSe外延膜的发光和电学性能的影响。随原料纯度提高，ZnSe外延膜的电阻率增大，同时PL光谱中与自由激子发射有关的Es带不断增强。这就表明，在我们实验条件下，ZnSe外延层的电导载流子主要来自于原料中施主杂质的污染而不是本征施主，当衬底温度较低时，原料中施主杂质的污染要比衬底中Ga的自扩散重要得多。随着原料纯度的提高ZnSe外延膜电阻率增加正是由于原料中施主杂质的减少。（本刊录）