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氮化铝单晶薄膜制备方法、氮化铝单晶薄膜及发光二极管

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摘要

本发明提供一种氮化铝单晶薄膜制备方法、氮化铝单晶薄膜及发光二极管，所述氮化铝单晶薄膜制备方法包括，提供一衬底，依次于衬底上生成氮化铝薄膜，铝化层以及氮化铝外延层。利用本发明，可有效提高晶体稳定性，得到的晶体整片不雾化无裂纹、晶体质量高。

公开/公告号CN112725896A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-30

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申请/专利权人宁波安芯美半导体有限公司;
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申请/专利号CN201911028132.4
发明设计人周陈;唐军;牟伟明;
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申请日2019-10-28
分类号C30B29/38(20060101);C30B23/02(20060101);C30B25/02(20060101);H01L21/02(20060101);H01L33/12(20100101);
代理机构34118 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王挺;魏玉娇
地址 315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
入库时间 2023-06-19 10:49:34

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-25

著录事项变更 IPC(主分类):C30B29/38 专利申请号:2019110281324 变更事项:申请人变更前:宁波安芯美半导体有限公司变更后:宁波安芯美半导体有限公司变更事项:地址变更前:315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室变更后:315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路136号数字经济产业园B区14号楼

著录事项变更