背表面氮化硅薄膜与氧化铝薄膜制备工艺对单晶硅双面太阳电池EL的影响

摘要

以原子层沉积(ALD)设备及管式PECVD设备制备单晶硅双面太阳电池背表面钝化膜的工艺为研究对象,通过实验讨论了管式PECVD设备采用不同的退火温度或退火时间,以及管式PECVD设备采用相同退火工艺但氧化铝薄膜厚度不同时分别对单晶硅双面太阳电池电致发光(EL)的影响.研究结果表明,在ALD设备镀制氧化铝薄膜的厚度保持不变的情况下,当管式PECVD设备的退火温度或退火时间过低会导致单晶硅双面太阳电池的EL图像出现发黑的情况,因此,氧化铝薄膜的厚度在一定范围内时,对管式PECVD设备的退火工艺的要求也基本一致.即当采用ALD设备与管式PECVD设备制备单晶硅双面太阳电池背表面钝化膜时,保持氧化铝薄膜的厚度在一定范围内,制定合理的管式PECVD设备的退火温度和退火时间范围,可以有效避免单晶硅双面太阳电池EL图像发黑的产生.