机译:液相外延生长温度对(1 1 1)单晶硅衬底上硅薄膜表面形态的影响
Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
A1. Morphological stability; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cell;
机译:通过液相外延制备的升级冶金硅衬底上的薄膜硅太阳能电池
机译:用于单晶{100}硅表面纹理化的室温沉积二氧化硅薄膜的研究
机译:无外延的单晶硅薄膜:确定多次高温退火后寿命退化的机制
机译:通过液相外延(LPE)制备的升级冶金(UMG)硅基衬底上的低成本薄膜硅太阳能电池
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:纳米压痕研究低温下单晶硅的相变
机译:衬底取向对金属有机气相外延生长Gasb生长速率,表面形貌和硅掺入的影响
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