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张旭光;
不详;
SiO2衬底; 单晶硅薄膜; 外延生长;
机译:液相外延生长温度对(1 1 1)单晶硅衬底上硅薄膜表面形态的影响
机译:使用原位RPCVD后退火在SiO2 / Si(100)衬底上非晶生长的Si1-xGex层的横向固相外延
机译:GaN在具有非常薄的SiO2掩模的条纹图案蓝宝石衬底上直接异质外延横向过生长
机译:SiO2纳米棒阵列图案蓝宝石衬底上GaN基发光二极管外延横向生长的MOCVD
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:反应性磁控溅射外延在单模激光作用下在SiOx / Si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长
机译:通过横向选择性生长研究硅衬底上单晶金刚石的生长
机译:种子凝固外延生长在绝缘子上的单晶硅薄膜生长
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:通过在衬底上外延生长来制造氮化物单晶的方法,该方法防止衬底边缘上的生长
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