一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)将硫化锌粉末、单晶ZnO衬底放入双温区管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入保护气体；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品。该方法操作简单、可控性强、重复性高，制备的ZnO/ZnS异质结薄膜具有优良的异质外延结构，在光电探测器、太阳能电池、光催化等领域具有重要的研究价值和广泛的应用前景。