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段春艳; 沈辉; 李明华; 刘超; 赖键钧; 邓幼俊; 艾斌;
中国可再生能源学会;
多晶硅薄膜; 常压化学气相沉积; 外延生长; 光伏应用;
机译:大气压化学气相沉积法在SiO_2图案化Si(100)衬底上外延生长硅膜
机译:(100)GaAs和(100)GaAs / Si衬底上厚(100)CdTe层的金属有机气相外延生长和表征
机译:在没有衬底加热的情况下通过等离子CVD在Ge(100)上外延生长的高应变Si上热CVD B掺杂Si膜的电学特性
机译:通过双离子束反应溅射在Si 100衬底上外延生长CeO / sub 2 / 100薄膜
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:用于太阳能电池应用的平面Si(100)平面Si(111)和带纹理的Si(100)衬底上具有良好刻面的带纹理的ZnO的生长和表征
机译:使用四溴化碳在si(100)衬底上外延生长siC
机译:通过区域熔融再结晶和随后的外延生长在siO 2涂覆的si衬底上制备的si薄膜中的微秒载流子寿命
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:通过在SiC衬底上外延生长SiC外延膜来制造碳化硅单晶衬底的方法
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
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