一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种优化的在硅衬底上化学气相沉积生长高质量β-碳化硅薄膜的方法。本方法采用非常低的碳化压力通入大流量丙烷碳化形成高质量的碳化硅缓冲层。然后保持大流量的氢气气氛，以较低速率生长一层薄的β-碳化硅薄，再加入一个刻蚀过程来降低缺陷和提高晶体质量，最后以高速率生长得到高质量β-碳化硅薄膜。外延过程中使用纯硅烷和纯丙烷作为生长源，氢气作为载气。外延碳化硅生长源流量和外延生长时间根据外延层结构设定，当外延层厚度较厚时在高速率生长过程中间加入一个短的刻蚀过程。采用本方法可以获得高质量的β-碳化硅薄膜。本发明方法工艺简单易行、成本低廉，具有重要应用价值。