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张福庆; 王贵梅; 赵环; 张军杰; 朱少杰;
晶澳太阳能有限公司 邢台 055550;
单晶硅; 双面太阳电池; PECVD; 氮化硅薄膜; EL发黑; 折射率; 开槽激光;
机译:背面钝化单晶硅薄膜太阳能电池,采用激光烧成接触工艺
机译:用PECVD法低温形成栅隔离层氮化硅薄膜的低温工艺
机译:使用硅烷和氮气通过VHF-PECVD制备的非晶氮化硅薄膜的光学性质
机译:低频PECVD工艺参数对氮化硅薄膜固有应力的影响
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:衬底温度对pECVD制备氮化硅薄膜性能的影响
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用
机译:单晶硅薄膜的制造方法,单晶硅薄膜装置的制造方法,太阳能电池装置的制造方法,单晶硅薄膜,以及单晶硅薄膜单晶硅薄膜
机译:硅薄膜太阳电池制造方法及使用该方法制造的硅薄膜太阳电池
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