PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究

摘要

cqvip:氮化硅具有良好的介电特性(介电常数低、损耗低)、高绝缘性,高致密性的氮化硅对杂质离子有很好的阻挡能力。PECVD法工艺复杂,沉积过程的控制因素较多,沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响。在PECVD淀积过程中必须对多个参数进行控制,因此,优化沉积条件是十分重要的。氧化硅薄膜通常采用PVD和CVD技术来制备。目前,在PECVD系统中,通过反应,获得了氧化硅薄膜。薄膜的沉积是在具有等离子体热系统中进行的,液体源经固定温度加热后,通过管道系统进入沉积室。