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郭丽; 武纹平; 陈丽;
山西潞安太阳能科技有限责任公司;
山西潞安煤基清洁能源有限责任公司;
氮化硅薄膜; 管式PECVD; 真空; 退火;
机译:PECVD生长的富硅氮化硅薄膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光特性的退火温度依赖性
机译:用PECVD法低温形成栅隔离层氮化硅薄膜的低温工艺
机译:基于开尔文探针力显微镜的具有不同界面结构的PECVD氮化硅薄膜中介电电荷现象的纳米级表征
机译:低频PECVD工艺参数对氮化硅薄膜固有应力的影响
机译:一个沉浸式虚拟环境的设计,用于研究台车问题场景中不同驱动程序的崩溃方式
机译:基于不同温度退火双层MWCNTs-In2O3薄膜的扩展栅场效应晶体管pH传感器的研究
机译:PECVD氮化硅薄膜的性能研究
机译:远程微波pECVD生长氮化硅的体积和表面钝化
机译:稳定PECVD氮化硅的退火工艺,可在MOS器件中用作栅极电介质
机译:薄膜氮化硅生产工艺和使用薄膜氮化硅的薄膜晶体管生产工艺
机译:分布式环境中产品研究的集成管理系统,分布式环境中产品研究的集成管理方法和使用相同系统的产品研究利用方法
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