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李艳; 励旭东; 许颖; 王文静; 顾亚华; 赵玉文; 卢殿通;
北京师范大学低能核物理研究所;
北京市太阳能研究所;
氮化硅; PECVD; 退火;
机译:PECVD生长的富硅氮化硅薄膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光特性的退火温度依赖性
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:PECVD沉积氮化硅薄膜的光学和结构表征
机译:沉积和退火的PECVD poh硅薄膜的光学和光电特性
机译:沉积后注入和退火对PECVD沉积氮化硅膜性能的影响
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响
机译:氢 - 等离子体和pECVD-氮化物沉积对线带硅太阳能电池中体积和表面钝化的影响
机译:氮化硅薄膜沉积方法及氮化硅薄膜沉积装置
机译:通过PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
机译:PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
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