法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-23
避免重复授权放弃专利权 IPC(主分类):C23C16/513 授权公告日:20090218 放弃生效日:20080429 申请日:20080429
避免重复授权放弃专利权
2011-10-12
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C16/513 变更前: 变更后: 申请日:20080429
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2011-08-17
专利权的转移 IPC(主分类):C23C16/513 变更前: 变更后: 登记生效日:20110711 申请日:20080429
专利申请权、专利权的转移
2009-02-18
授权
授权
机译: 氮化硅薄膜沉积方法及氮化硅薄膜沉积装置
机译: 通过PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
机译: PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。