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PECVD法在PET基板上沉积氮化硅薄膜的工艺研究

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研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)法在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基片上沉积氮化硅薄膜的工艺.系统的研究了基板温度、气体流量比、射频功率、沉积腔体压强等工艺条件对SiNx薄膜性质的影响.采用椭圆偏振光谱仪测量了薄膜的折射率和厚度,通过电子天平称量了PET基片沉积SiNx薄膜前后的质量.根据测量结果分析了各个工艺参量对在PET基片上沉积的SiNx薄膜的折射率、沉积速率及密度的影响规律,并定性讨论了其机理.

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来源
《第七届华东三省一市真空学术交流会》|2011年|467-473|共7页
会议地点南京
作者
桑仁政; 张浩; 张建华; 吴行阳;
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作者单位

江苏省真空学会;

安徽省真空学会;

浙江省真空学会;

上海市真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
氮化硅薄膜; PET基片; 聚对苯二甲酸乙二醇酯; PECVD法; 生长速率; 薄膜折射率;

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