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杜平凡; 席珍强; 汪新颜; 金达莱; 王勇;
浙江理工大学,先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,浙江,杭州,310018;
浙江理工大学,材料工程中心,浙江,杭州,310018;
氮化硅薄膜; 钢衬底; RF-PECVD; 沉积速率;
机译:金属有机化学气相沉积法在氮化硅(111)衬底上干氮化铝的研究
机译:俄歇电子能谱法表征硅和钼衬底上氮化硅薄膜的特性和深度分布
机译:沉积温度对通过热化学气相沉积法沉积在p型硅衬底上的氮化碳膜特性的影响
机译:RF-PECVD在锗衬底上沉积非晶态氢化DLC膜的研究
机译:研究硅衬底上的氧化物,硅化物和氮化物薄膜原子层沉积中的初始表面反应。
机译:调音氧化物和氮化物的材料特性等离子体增强原子层沉积过程中的衬底偏置效应在平面和3D基板地形上
机译:沉积纳米复合碳氮化硅薄膜的拉曼研究 通过RF磁控管溅射在不同的衬底温度下
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响
机译:在衬底上方沉积包括钨的层的方法,在衬底上方沉积包括元素钨的方法,在衬底上方沉积包括氮化钨的层的方法,在衬底上方沉积包括硅化钨的层的方法以及方法在衬底上形成晶体管栅极线
机译:感应耦合化学气相沉积法,非晶硅薄膜,氮化硅薄膜和使用瑟勒夫制成的非晶薄膜晶体管
机译:化学气相沉积法在大面积玻璃基板上高沉积速度沉积氮化硅薄膜的方法
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