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李攀; 张倩; 夏金松; 卢宏;
华中科技大学武汉光电国家研究中心 湖北武汉430074;
武汉晴川学院 湖北武汉430204;
半导体材料; 氮化硅薄膜; 等离子增强化学气相沉积(PECVD);
机译:使用硅烷和氮气通过VHF-PECVD制备的非晶氮化硅薄膜的光学性质
机译:PECVD制备的非晶氢化碳氮化硅薄膜的结构和光学性质
机译:PECVD沉积氮化硅薄膜的光学和结构表征
机译:PECVD硅氮化硅薄膜:性质
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响
机译:si太阳能电池的pECVD氮化物钝化中的H-扩散机制:预印刷。
机译:通过PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
机译:PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
机译:低温生产高应变的peCVD氮化硅薄膜的方法
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