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PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究

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本文通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用的工艺参数进行了总结.

著录项

来源
《中国微米纳米技术第七届学术年会》|2005年|396-398|共3页
会议地点大连
作者
李伟东; 吴学忠; 李圣怡;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类表面处理;
关键词
氮化硅薄膜; PECVD; 原子力显微镜; 台阶仪;

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