N掺杂

摘要： 以木屑为碳源、尿素为氮源、KOH为活化剂,制备了系列氮掺杂生物质碳CH_(4)-CO_(2)重整催化剂。采用比表面孔结构分析仪、电镜、红外和热重等表征手段对新鲜和使用后的催化剂样品结构和特性进行了分析,考察了催化剂孔结构、N含量、N种类和碱性位等对重整催化性能的影响。研究发现,N掺杂可以显著提升生物质碳材料N及碱性位含量,从而为重整反应提供更多的活性位点;其中,后处理掺N制备的生物质碳材料(BC-750/3.5-N)氮质量分数高达26.35%。而原位N掺杂可以进一步促进造孔作用,使样品NBC-750/3.5获得大量的微孔或窄微孔,同时提高其比表面积和孔体积(1981.53 m^(2)/g和1.08 mL/g),从而有利于重整反应气体的吸附和活化。研究还发现,原位N掺杂制备的NBC-750/3.5催化剂样品中吡啶N和吡咯N占比较高,分别为31%和50%。其中,掺杂的吡咯N有利于CO_(2)吸附,吡啶N有利于气体分子活化,因此通过原位掺杂制备的碳材料催化剂催化性能较好。催化重整50 h后,CH_(4)和CO_(2)转化率仍稳定在45%和62%左右。同时发现,重整反应后吡啶N和吡咯N占比降低,石墨N占比增加。因此,通过调控催化剂的制备方法和N杂原子掺杂方式,可以更准确地调控含N基团的生成类型和含量,从而通过调控制得高性能非金属碳基非再生型重整催化材料。

摘要： 通过简易的溶剂热法,以氧化石墨烯、钛酸四丁酯为原料,吡咯为氮源制备了高效的二氧化钛/N-掺杂石墨烯复合光催化降解材料(TiO_(2)/N-GSs).结果表明,TiO_(2)在交联的三维网络中呈现良好的结构和均一分布的形态,相对于纯TiO_(2)和无N掺杂的复合材料具有更好的光催化活性,40 min内降解效率可以达到96%,并且TiO_(2)/N-GSs复合材料具有良好的稳定性.

摘要： 以三聚氰氨(CHN)为N源,制得N掺杂HZSM-5分子筛(N-HZSM-5)。以Pt为活性组分,N-HZSM-5为载体,采用等体积浸渍法制备了一系列N掺杂Pt/HZSM-5催化剂,并探究了催化剂对甲烷部分氧化(POM)反应的催化性能。结果表明,将Pt负载到N-HZSM-5分子筛时形成的Pt-N物种,有助于增强活性组分Pt与载体之间的作用力,改善Pt颗粒的分散性,明显提升催化剂对POM反应的催化性能。其中,当m(C_(3)H_(6)N_(6))/m(HZSM-5)为1/2时,催化剂中的Pt-N物种含量(质量分数)最高,活性组分Pt与载体之间的作用力最强,Pt颗粒粒径最小,催化性能提升最显著,CH初始转化率提高了15%,CO选择性提高了18%,H选择性提高了5%。

摘要： 采用阳极氧化结合液相处理成功制备了N掺杂TiO_(2)纳米管阵列,研究N掺杂对TiO_(2)纳米管阵列光电化学性能的影响。通过X射线衍射及扫描电子显微镜表征了N掺杂TiO_(2)纳米管阵列的形貌与结构,并采用X射线光电子能谱、傅里叶红外光谱及拉曼光谱分析了N在TiO_(2)中的存在状态。采用恒电位计时电流法测试了掺杂样品在紫外光及可见光照射下的光电化学性能,并以葡萄糖为模拟有机物进行TiO_(2)(N)NTAs的光电化学检测水体有机物的研究。研究结果表明,N掺杂后样品的光电流均得到明显的提升,最优化的TiO_(2)(N40)NTAs的紫外光电流由180.4μA增加到256.8μA。对有机物的检测灵敏度由0.061μA/(μmol/L)增至0.134μA/(μmol/L)。通过对样品的光学性能、载流子复合几率及电化学性能的测试,研究了样品光电化学性能提高的机理。光响应范围的增加及光生载流子的有效分离,使得N掺杂TiO_(2) NTAs的光电化学性能得到极大的改善。

摘要： 采用水热法将石墨烯和TiO_(2)进行复合,制得复合光催化剂。对石墨烯表面官能团总量及N原子掺杂浓度进行调控,通过样品降解污染物的速率常数对其复合光催化剂的光活性进行研究。结果表明,石墨烯材料中进行N掺杂后显著增强了复合光催化剂在长波段的可见光活性,而表面官能团的存在则能促进石墨烯片与TiO_(2)之间形成的π-d耦合,更好地促进电子在两者界面处的输运。经过优化后的样品在紫外光照射条件下降解甲基橙的速率达到5.82×10-2 min^(-1),是纯TiO_(2)样品的1.47倍;而在长波长可见光照射条件下(λ>510 nm)降解甲基橙的速率为2.49×10^(-2)min^(-1)。

摘要： 用简单的水热反应合成一种形貌独特的玫瑰花状的N-CNTs/MoS2纳米复合材料.通过一系列的表征手段和化学工作站分析该材料的组成和结构并得出其电化学性能.结果表明:该材料作为电极材料时,在电流密度为1 A/g时,比电容为642 F/g;在电流密度为10 A/g时,比电容为280 F/g,且在5000次循环之后比电容仍能保持在85.8％,而MoS2材料在同等条件下仅有56.2％的电容保持率,因此N-CNTs/MoS2纳米复合材料具有优良的电化学性能.

摘要： 采用三聚氰胺作为N源,N掺杂改性HZSM-5沸石分子筛后负载Mo活性金属组分,制备了一种用于甲烷无氧芳构化反应(MDA)的催化剂.采用XPS、N2吸附-脱附、XRD、H2-TPR、TEM和NH3-TPD对催化剂性质和Mo金属组分状态进行了分析表征,并考察了催化剂的甲烷无氧芳构化反应催化性能.结果表明,HZSM-5经过N掺杂改性后,会在分子筛表面生成一层含氮基团,有序调控了分子筛的酸性位点;同时会诱导Mo金属组分在催化剂表面更好的锚定落位.此方法制备的Mo/HZSM-5-CN催化剂能有效提高MDA反应的甲烷转化率和芳烃选择性,减缓了积炭的生成,展现出更优良的催化性能.

摘要： 尽管碳纳米管(CNT)具有优异的结构和功能特性,但是纯的碳纳米管在应用上还受到很多限制.论文基于密度泛函理论的第一性原理,利用掺杂改性的方法研究与分析Al、N掺杂对(10,0)单壁碳纳米管(SWCNT)电子结构和光学性质的影响,从理论上探讨金属和非金属掺杂改变(10,0)SWCNT电子结构和光学性质的微观机理.研究结果发现,Al和N掺杂后碳纳米管的可见光吸收范围都增加了,且Al掺杂碳纳米管的光吸收范围比N掺杂碳纳米管的大,为开发新的碳纳米管复合材料及拓宽其在工业上的应用提供理论指导.

摘要： 采用射频反应磁控溅射法制备了N掺杂Y2 O 3栅介质薄膜,并研究了N掺杂对Y2 O 3薄膜界面特性的影响.研究结果表明:N原子在YOxNy薄膜中以N-O键和N≡O3键两种结合态存在.在热处理过程中,N-O键是稳定的,而N≡O3键不稳定;N-O键的生成能够阻止退火气氛中的氧原子在Y2 O3薄膜中的扩散,从而有效抑制了界面层SiO2的生长.

摘要： 中国科学院福建物构所结构化学国家重点实验室研究员朱起龙与日本产业技术综合研究所教授徐强合作,在国家自然科学基金等的资助下,首先利用双溶剂诱导非均相成核法获得了高分散Ru(Ⅲ)离子修饰的有序大孔ZIF-8单晶(Ru(Ⅲ)/MSC-ZIF-8),并以此为前驱体进一步高温热解得到了具有有序等级孔超结构的Ru/N掺杂纳米多孔碳(Ru/OMSNNC)微-纳反应器。

摘要： 利用微弧氧化(micro-arc oxidation,MAO)制备的TiO2纳米晶薄膜具有膜层均一、比表面积大、与基体结合力强和经久耐用等特点,在光催化领域受到越来越多的关注与应用。研究表明：1)MAO制备的TiO2薄膜的微结构从表至内呈梯度变化,表面为一层厚度约10-20 nm的非晶态TiO2膜;然后是非晶态TiO2与锐钛矿和少量金红石TiO2的混合区,TiO2晶粒直径约为12nm左右;内部基体为晶粒直径约20 nm的锐钛矿TiO2组织;当将TiO2薄膜进行450°C热处理12h后,非晶态TiO2晶化成细小的锐钛矿,并且其光催化效率比原始样品提高了2倍以上,基于离子渗氨的微弧氧化,在Ti表面制备出高含量取代型N掺杂TiO2薄膜。与利用传统方法制备的TiO2_XNX粉末或薄膜相比，本方法制备的TiO2_XNX薄膜中氮含量（x）高达0.11。同时，相对与同样方法制备的未掺杂的TiO2薄膜，该TiO2_XNX薄膜的紫外-可见漫反射谱显示了明显的红移，禁带宽度减小到2.6 eV，具有更高的光生载流子浓度和更强的光催化活性。

摘要： 利用微弧氧化(micro-arc oxidation,MAO)制备的TiO2纳米晶薄膜具有膜层均一、比表面积大、与基体结合力强和经久耐用等特点,在光催化领域受到越来越多的关注与应用。研究表明：1)MAO制备的TiO2薄膜的微结构从表至内呈梯度变化,表面为一层厚度约10-20 nm的非晶态TiO2膜;然后是非晶态TiO2与锐钛矿和少量金红石TiO2的混合区,TiO2晶粒直径约为12nm左右;内部基体为晶粒直径约20 nm的锐钛矿TiO2组织;当将TiO2薄膜进行450°C热处理12h后,非晶态TiO2晶化成细小的锐钛矿,并且其光催化效率比原始样品提高了2倍以上,基于离子渗氨的微弧氧化,在Ti表面制备出高含量取代型N掺杂TiO2薄膜。与利用传统方法制备的TiO2_XNX粉末或薄膜相比，本方法制备的TiO2_XNX薄膜中氮含量（x）高达0.11。同时，相对与同样方法制备的未掺杂的TiO2薄膜，该TiO2_XNX薄膜的紫外-可见漫反射谱显示了明显的红移，禁带宽度减小到2.6 eV，具有更高的光生载流子浓度和更强的光催化活性。

摘要： 利用微弧氧化(micro-arc oxidation,MAO)制备的TiO2纳米晶薄膜具有膜层均一、比表面积大、与基体结合力强和经久耐用等特点,在光催化领域受到越来越多的关注与应用。研究表明：1)MAO制备的TiO2薄膜的微结构从表至内呈梯度变化,表面为一层厚度约10-20 nm的非晶态TiO2膜;然后是非晶态TiO2与锐钛矿和少量金红石TiO2的混合区,TiO2晶粒直径约为12nm左右;内部基体为晶粒直径约20 nm的锐钛矿TiO2组织;当将TiO2薄膜进行450°C热处理12h后,非晶态TiO2晶化成细小的锐钛矿,并且其光催化效率比原始样品提高了2倍以上,基于离子渗氨的微弧氧化,在Ti表面制备出高含量取代型N掺杂TiO2薄膜。与利用传统方法制备的TiO2_XNX粉末或薄膜相比，本方法制备的TiO2_XNX薄膜中氮含量（x）高达0.11。同时，相对与同样方法制备的未掺杂的TiO2薄膜，该TiO2_XNX薄膜的紫外-可见漫反射谱显示了明显的红移，禁带宽度减小到2.6 eV，具有更高的光生载流子浓度和更强的光催化活性。

摘要： 利用微弧氧化(micro-arc oxidation,MAO)制备的TiO2纳米晶薄膜具有膜层均一、比表面积大、与基体结合力强和经久耐用等特点,在光催化领域受到越来越多的关注与应用。研究表明：1)MAO制备的TiO2薄膜的微结构从表至内呈梯度变化,表面为一层厚度约10-20 nm的非晶态TiO2膜;然后是非晶态TiO2与锐钛矿和少量金红石TiO2的混合区,TiO2晶粒直径约为12nm左右;内部基体为晶粒直径约20 nm的锐钛矿TiO2组织;当将TiO2薄膜进行450°C热处理12h后,非晶态TiO2晶化成细小的锐钛矿,并且其光催化效率比原始样品提高了2倍以上,基于离子渗氨的微弧氧化,在Ti表面制备出高含量取代型N掺杂TiO2薄膜。与利用传统方法制备的TiO2_XNX粉末或薄膜相比，本方法制备的TiO2_XNX薄膜中氮含量（x）高达0.11。同时，相对与同样方法制备的未掺杂的TiO2薄膜，该TiO2_XNX薄膜的紫外-可见漫反射谱显示了明显的红移，禁带宽度减小到2.6 eV，具有更高的光生载流子浓度和更强的光催化活性。

摘要： 随着固体照明的发展，不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH3中制备了N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉，通过改变氮化时间实现了发光波长在500～510nm内的调控。XRD结果表明，氮化后的粉体依然保持了Ba2SiO4的晶体结构。PL光谱表明，随着氮化时间的增加，N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉的发射波长从500nm红移至510nm，同时激发峰位也出现红移，激发光谱明显宽化，在UV-LED芯片范围内(390～400nm)激发强度明显提高，从而在配合UV-LED芯片合成白光方面显现良好的应用前景。

摘要： 随着固体照明的发展，不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH3中制备了N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉，通过改变氮化时间实现了发光波长在500～510nm内的调控。XRD结果表明，氮化后的粉体依然保持了Ba2SiO4的晶体结构。PL光谱表明，随着氮化时间的增加，N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉的发射波长从500nm红移至510nm，同时激发峰位也出现红移，激发光谱明显宽化，在UV-LED芯片范围内(390～400nm)激发强度明显提高，从而在配合UV-LED芯片合成白光方面显现良好的应用前景。

摘要： 随着固体照明的发展，不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH3中制备了N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉，通过改变氮化时间实现了发光波长在500～510nm内的调控。XRD结果表明，氮化后的粉体依然保持了Ba2SiO4的晶体结构。PL光谱表明，随着氮化时间的增加，N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉的发射波长从500nm红移至510nm，同时激发峰位也出现红移，激发光谱明显宽化，在UV-LED芯片范围内(390～400nm)激发强度明显提高，从而在配合UV-LED芯片合成白光方面显现良好的应用前景。

摘要： 随着固体照明的发展，不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH3中制备了N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉，通过改变氮化时间实现了发光波长在500～510nm内的调控。XRD结果表明，氮化后的粉体依然保持了Ba2SiO4的晶体结构。PL光谱表明，随着氮化时间的增加，N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉的发射波长从500nm红移至510nm，同时激发峰位也出现红移，激发光谱明显宽化，在UV-LED芯片范围内(390～400nm)激发强度明显提高，从而在配合UV-LED芯片合成白光方面显现良好的应用前景。

摘要： 随着固体照明的发展，不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH3中制备了N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉，通过改变氮化时间实现了发光波长在500～510nm内的调控。XRD结果表明，氮化后的粉体依然保持了Ba2SiO4的晶体结构。PL光谱表明，随着氮化时间的增加，N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉的发射波长从500nm红移至510nm，同时激发峰位也出现红移，激发光谱明显宽化，在UV-LED芯片范围内(390～400nm)激发强度明显提高，从而在配合UV-LED芯片合成白光方面显现良好的应用前景。

摘要： 用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了氮掺杂锐钛矿TiO2的电子结构和光学性质。研究了氮掺杂对TiO2能带带隙的影响，计算结果表明，随着N的掺入，TiO2能带间隙减小，同时TiO2由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体，电子跃迁的几率增大。掺杂N之后，TiO2的静态介电常数变小，同时在介电函数中，虚部在低能量处就出现峰值。

摘要： 本发明介绍了用于制造掺杂的III-N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中，掺杂的晶态III-N层或者掺杂的III-N大块晶体在反应器中在衬底或模板上沉积，并且其中，至少一种掺杂物质到反应器中的输送以与至少一种III族材料混合的形式进行。以这种方式，III-N大块晶体以及由其分割而成的III-N单晶衬底以掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一分布的方式被获得。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。

摘要： 本申请提供一种掺杂氧化锌标准样品及其制备方法和测量未知掺杂氧化锌样品中掺杂元素含量的方法，涉及电子探针分析领域。掺杂氧化锌标准样品的制备方法：将包括锌源化合物、掺杂元素化合物在内的原料使用水热法制备得到掺杂‑氧化锌纳米单晶；采用压片法将掺杂‑氧化锌纳米单晶压制成块状样品，烧结至单晶尺寸达到微米级别，然后进行回火处理。本申请提供的掺杂氧化锌标准样品的制备方法，制备出的标准样品填补了标准样品领域中特定元素掺杂氧化物标准样品的空白，尤其是能够提高低含量掺杂样品的定量分析测试精度。此类标准样品不仅适用于电子探针，还适用于二次离子质谱、激光剥蚀电感耦合等离子体质谱、能谱等其它原位微束分析手段。

摘要： 本发明涉及石墨烯领域，具体为一种高效掺杂石墨烯的超强酸掺杂剂和掺杂方法，该掺杂剂适用于不同基体上不同层数石墨烯的p型掺杂。掺杂剂采用超强酸或者含有超强酸的混合物，将掺杂剂与未转移的石墨烯本征表面接触后，对石墨烯进行掺杂。本发明采用超强酸掺杂具有高效、稳定的特点，为实现掺杂态石墨烯在电子、光电子器件中的应用奠定了基础。

摘要： 本发明涉及石墨烯领域，具体为一种稳定掺杂石墨烯的化学掺杂剂与掺杂方法。采用光固化型环氧胶作为稳定掺杂石墨烯的新型掺杂剂，具体掺杂方法为：首先在初始基体上的石墨烯表面形成光固化型环氧胶；然后将石墨烯、光固化型环氧胶和透明目标基体进行结合，对环氧胶进行光固化；最后通过对固化后的环氧胶进行加热或室温长期放置处理，实现对石墨烯的稳定掺杂。本发明在转移之前将光固化型环氧胶与初始基体上生长的石墨烯直接接触并固化，再通过加热或室温长期放置处理实现对石墨烯的稳定掺杂。由于石墨烯的本征表面与掺杂剂直接接触，避免了杂质对两者之间界面的污染，可促进环氧胶的掺杂效果。

摘要： 本发明公开了制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅。制备砷掺杂剂的方法：包括：将金属砷进行一次氧化和二次氧化处理，得到氧化砷颗粒。其中，一次氧化处理的温度为20～25摄氏度，湿度为不高于45％，二次氧化处理的温度为40～60摄氏度，湿度为45～65％。该方法通过将金属砷进行一次氧化和二次氧化，可以将金属砷完全转化为氧化砷颗粒，从而在其应用过程中，例如在制备砷掺杂生长单晶硅过程中作为砷掺杂剂加入到熔硅中，不会由于固体砷与氧发生氧化反应而产生气泡，从而可以有效避免熔硅飞溅而损坏部件和影响长晶成功率的问题，同时本申请可以显著降低气体砷掺杂而导致的砷的浪费(降低砷损失至少10％)。

摘要： 本发明介绍了用于制造掺杂的III－N大块晶体的方法，其中，III代表周期表第III主族的、选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中，掺杂的晶态III－N层或者掺杂的III－N大块晶体在反应器中在衬底或模板上沉积，并且其中，至少一种掺杂物质到反应器中的输送以与至少一种III族材料混合的形式进行。以这种方式，III－N大块晶体以及由其分割而成的III－N单晶衬底以掺杂物质分别在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内非常均一分布的方式被获得。相应地，可以在生长方向上以及在垂直于生长方向的生长平面内提供载流子和/或比电阻的非常均一的分布。此外，还可以获得非常好的晶体质量。

摘要： 本申请提供一种掺杂氧化锌标准样品及其制备方法和测量未知掺杂氧化锌样品中掺杂元素含量的方法，涉及电子探针分析领域。掺杂氧化锌标准样品的制备方法：将包括锌源化合物、掺杂元素化合物在内的原料使用水热法制备得到掺杂‑氧化锌纳米单晶；采用压片法将掺杂‑氧化锌纳米单晶压制成块状样品，烧结至单晶尺寸达到微米级别，然后进行回火处理。本申请提供的掺杂氧化锌标准样品的制备方法，制备出的标准样品填补了标准样品领域中特定元素掺杂氧化物标准样品的空白，尤其是能够提高低含量掺杂样品的定量分析测试精度。此类标准样品不仅适用于电子探针，还适用于二次离子质谱、激光剥蚀电感耦合等离子体质谱、能谱等其它原位微束分析手段。

摘要： 本发明公开了制备稀土掺杂光纤的全气相掺杂装置及掺杂方法，装置包括气化系统、气相混合系统和气相沉降系统，气化系统包括多个加热气化单元，加热气化单元将原料加热气化并传输至气相混合系统，气相混合系统包括三路进气单元、稀土掺杂原料蒸发单元和气体混合区，气相沉降单元包括与稀土掺杂原料蒸发室的输出端连接并与气体混合区相通的石英玻璃衬底管和用于移动加热石英玻璃衬底管的第二加热炉，石英玻璃衬底管和稀土掺杂原料蒸发室分别通过旋转基座固定并且能够绕着各自的中心轴旋转。方法采用上述制备稀土掺杂光纤的全气相掺杂装置进行稀土掺杂光纤的制备。本发明采用稀土螯合物作为掺杂原料并提高掺杂浓度、保证掺杂均匀性。

摘要： 本发明公开了制备稀土掺杂光纤预制棒的气相掺杂装置及掺杂方法，装置包括气化系统、气相传输系统和气相沉积系统，气化系统包括普通沉积原料供给单元、AlCl

摘要： 本实用新型提供一种用于生长掺杂直拉晶体的掺杂器定位装置，包括掺杂罩和定位件，定位件设于掺杂罩上，且定位件的一端与掺杂罩连接，定位件的另一端延伸出掺杂罩靠近硅溶液一端的端面，在掺杂时，定位件与硅溶液接触，对掺杂罩进行定位。本实用新型的有益效果是用于将低熔点元素(磷、砷)掺入硅溶液中的掺杂器使用，具有掺杂罩和定位件，对掺杂罩进行定位，使得掺杂效果一致性好。